Resumo: Este vídeo explica as principais funções e usos práticos dos wafers de silício com revestimento metálico de Ti/Cu em um formato claro e passo a passo. Você verá como a camada de adesão de titânio e a camada condutora de cobre são depositadas usando pulverização catódica por magnetron, aprenderá sobre as especificações personalizáveis e descobrirá suas aplicações em pesquisa e prototipagem industrial.
Recursos de Produtos Relacionados:
Fabricado com uma camada de adesão de titânio para maior adesão do filme e estabilidade interfacial.
A camada condutora de cobre fornece excelente condutividade elétrica para diversas aplicações.
Depositado usando pulverização catódica padrão para um processo estável e repetível.
Disponível em vários tamanhos de wafer, tipos de condutividade, orientações e faixas de resistividade.
Suporta personalização total de tamanho, material de substrato, pilha de filmes e espessura.
Adequado para contatos ôhmicos, eletrodos e camadas de sementes para processos de galvanoplastia.
Ideal para nanomateriais, pesquisa de filmes finos e aplicações de microscopia.
Pode ser revestido em lados simples ou duplos do wafer, mediante solicitação.
Perguntas Frequentes:
Por que é usada uma camada de titânio sob o revestimento de cobre?
O titânio atua como uma camada de adesão, melhorando a fixação do cobre ao substrato e aumentando a estabilidade da interface, o que ajuda a reduzir o descascamento ou delaminação durante o manuseio e processamento.
Quais são as configurações típicas de espessura para as camadas de Ti e Cu?
Combinações comuns incluem camadas de Ti de 10 a 50 nm e camadas de Cu de 50 a 300 nm para filmes pulverizados. Camadas mais espessas de Cu no nível micrométrico podem ser obtidas por galvanoplastia em uma camada de semente de Cu pulverizada, dependendo dos requisitos da aplicação.
O wafer pode ser revestido em ambos os lados?
Sim, opções de revestimento de um lado e de dois lados estão disponíveis mediante solicitação. Especifique seus requisitos de revestimento ao fazer um pedido.