• GaN Gallium Nitride Wafer Alta Mobilidade Eletrônica Dispositivos RF Optoelectronics E LEDs
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GaN Gallium Nitride Wafer Alta Mobilidade Eletrônica Dispositivos RF Optoelectronics E LEDs

GaN Gallium Nitride Wafer Alta Mobilidade Eletrônica Dispositivos RF Optoelectronics E LEDs

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: ZMSH
Número do modelo: Wafer de nitreto de gálio GaN

Condições de Pagamento e Envio:

Tempo de entrega: 2 a 4 semanas
Termos de pagamento: T/T
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Dimensão: " de diâmetro ou 25,4 +/- 0,5 mm Espessura: 350 +/- 50 um
Flat primário: 12 +/- 1 mm Apartamento secundário:: 8 +/- 1 mm
orientação: (0001) Plano C Variação da espessura total: ≤ 40 um
curva: 0 +/- 10 um Resistividade: ~ 10-3 ohms-cm
Concentração de portador: ~ 1019 cm-3 Mobilidade dos transportadores: ~ 150 cm2/V*s
Densidade do fosso de gravação: < 5 x 104 cm2 Poluição: Superfície da frente: RMS < 0,5 nm, Epi pronto, superfície traseira em terra.
Realçar:

Optoelectronics Gallium Nitride Wafer

,

LEDs GaN Wafer

,

Dispositivos de RF Wafer de nitreto de gálio

Descrição de produto

GaN Gallium Nitride Wafer High Electron Mobility RF Devices Optoelectronics e LEDs

Abstract de Gallium Nitride Wafer de GaN

As placas de nitreto de gálio (GaN) surgiram como uma tecnologia fundamental em várias indústrias, devido às suas propriedades materiais únicas.e excepcional estabilidade térmicaO presente resumo explora as aplicações versáteis dos Wafers GaN, que podem ser usados em dispositivos de alta potência, dispositivos de RF, optoeletrônicos e mais.de fornecer energia para as comunicações 5G até iluminar LEDs e avançar sistemas de energia solarAs características de alto desempenho do GaN tornam-no uma pedra angular no desenvolvimento de dispositivos electrónicos compactos e eficientes, influenciando sectores como a electrónica automóvel, a aeroespacial, a química e a química.e energia renovávelComo força motriz da inovação tecnológica, as placas GaN continuam a redefinir as possibilidades em diversos setores, moldando o panorama dos sistemas electrónicos e de comunicação modernos.

Vitrine da GaN Gallium Nitride Wafer

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Aplicação da Wafer de Nitreto de Gállio GaN

GaN Gallium Nitride Wafer Alta Mobilidade Eletrônica Dispositivos RF Optoelectronics E LEDs 4

As placas de nitreto de gálio (GaN) encontram uma ampla gama de aplicações em várias indústrias,Aproveitando as suas propriedades materiais únicas para melhorar o desempenho dos dispositivos eletrónicos e optoeletrónicosAqui estão algumas aplicações principais de wafers GaN:

  1. Eletrónica de Potência:

    • Os Wafers GaN são amplamente utilizados em dispositivos eletrônicos de potência, como transistores e diodos.Conversores, e inversores em indústrias que vão das telecomunicações aos sistemas de energia renovável.
  2. Dispositivos de radiofrequência:

    • As wafers de GaN são empregadas no desenvolvimento de dispositivos de RF de alta frequência, incluindo amplificadores e switches.tornando-o valioso em aplicações como sistemas de radar, comunicação sem fios e comunicação por satélite.
  3. Optoeletrónica e LED:

    • Os LEDs baseados em GaN (diodos emissores de luz) são amplamente utilizados em aplicações de iluminação, monitores e indicadores.A capacidade do GaN de emitir luz no espectro azul e ultravioleta contribui para a produção de luz branca em LEDs, tornando-os cruciais para soluções de iluminação energéticamente eficientes.
  4. Dispositivos optoeletrônicos UV (ultravioleta):

    • A transparência do GaN à luz ultravioleta torna-o adequado para aplicações optoeletrônicas UV.e outros dispositivos em que a sensibilidade à radiação UV é essencial.
  5. Transistores de alta mobilidade eletrônica (HEMT):

    • As wafers de GaN servem como um material chave para o desenvolvimento de HEMTs, que são transistores de alto desempenho usados em aplicações de alta frequência e alta potência.Os HEMT baseados na tecnologia GaN são utilizados em comunicações por satélite, sistemas de radar e infra-estrutura sem fio.
  6. Comunicação sem fios (5G):

    • As capacidades de alta frequência do GaN tornam-no um material preferido para o desenvolvimento de componentes de RF em sistemas de comunicação 5G.Os amplificadores e transmissores baseados em GaN desempenham um papel crucial para permitir as altas taxas de dados e baixa latência necessárias para as redes 5G.
  7. Fornecedores de energia e conversores:

    • Os Wafers de GaN são utilizados na fabricação de fontes de alimentação e conversores, onde são essenciais projetos de alta eficiência e compactos.Dispositivos de potência baseados em GaN contribuem para reduzir as perdas de potência e melhorar a eficiência global dos sistemas electrónicos.
  8. Eletrónica automóvel:

    • A tecnologia GaN encontra um uso crescente na eletrônica automotiva, particularmente em veículos elétricos (VE) e veículos elétricos híbridos (VEH).Eletrónica de potência baseada em GaN melhora a eficiência dos motores elétricos, contribuindo para o avanço do transporte sustentável.
  9. Inversores de energia solar:

    • Os Wafers GaN são utilizados no desenvolvimento de inversores de potência para sistemas de energia solar.A alta eficiência e as capacidades de gestão de energia dos dispositivos GaN contribuem para otimizar a conversão da energia solar em eletricidade utilizável.
  10. Sistemas de radar avançados:

    • A capacidade do GaN de operar em altas frequências e suportar níveis de potência elevados o torna ideal para sistemas de radar avançados.Aeronáutica, e monitorização do tempo.

As diversas aplicações das wafers de GaN sublinham a sua importância no avanço da tecnologia em vários sectores.e outras propriedades benéficas posicionam o GaN como um facilitador chave para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos avançados.

Gráfico de dados da Wafer de Nitreto de Gállio GaN

Modelo N.O.
50.8mm
Tecnologia de fabrico
HVPE e MOCVD
Materiais
Semicondutores compostos
Tipo
Semicondutores do tipo N
Aplicação
LED
Modelo
Tipo N, semi-isolante
Marca
WMC
Diâmetro
50.8, 100 150 mm
Orientação Cristalina
C-plano (0001)
Resistividade
< 0,05 < 0,1 < 0,5 ohm.cm
Espessura
350um
TTV
10um no máximo
Incline-se.
25um no máximo
EPD
5E8 cm-2 no máximo
Superfície rugosa
Frente: <= 0,2 nm, traseira: 0,5-1,5 um ou <= 0,2 nm
Concentração do portador
5E17 cm-3 no máximo
Mobilidade dos salões
300 cm2/V.s.
Marca comercial
WMC
Pacote de transporte
recipiente de wafer único
Especificações
Dois, quatro, seis.
Origem
Chengdu, China
Código do SH
3818001900

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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