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O carboneto de silicone de 6 polegadas revestiu sic placas de Tray High Temperature Resistance Graphite da grafite
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMKJ |
| Número do modelo: | 6 polegadas |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5-10pcs |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | bloco necessário para a bandeja da grafite |
| Tempo de entrega: | 1-3weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | 1000PCS/Week |
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Informação detalhada |
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| Nome do produto: | Carboneto de silicone de 6 polegadas | Materiais: | Da grafite bandeja da bolacha sic |
|---|---|---|---|
| Grade: | GSK-II/HPM-II/HPM-III | Suraface: | lustrado/moendo |
| Application: | Electrolysis | Diâmetro: | 6 polegadas. |
| Destacar: | Bandeja sic revestida da grafite,Bandeja da grafite de 6 polegadas,Placas revestidas da grafite do carboneto de silicone |
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Descrição de produto
6 polegadas de carburo de silício SiC revestido Grafite bandeja alta temperatura resistência placas de grafite
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate high purity carbon graphite anode plate
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Aplicação
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circuito integrado de semicondutores
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coeficiente de pureza < 5 ppm
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Revestimento em nanoescala e boa uniformidade de dopagem
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desempenho de vedação bem e forte capacidade de ligação de revestimento de tinta
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resistente à corrosão por ligação de blocos de elementos de carbono
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Serviço personalizado profissional
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Tempo de execução curto
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Produtos de processo internacional e prazo de entrega estável
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Serviços de melhoria rápida do desempenho dos produtos
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CATALOGO Tamanho comum
| Grau | Densidade a granel | Força flexural | Força de compressão |
Resistividade específica
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Teor de cinzas |
| GSK-II | 10,72 g/cc min | 15Mpa min | 32 Mpa min | 8.0μΩ•m máximo | 00,3% no máximo |
| HPM-II | 10,78 g/cc min | 18Mpa min | 35Mpa min | 10 μΩ•m no máximo | 00,1% no máximo |
| HPM-III | 10,83 g/cc min | 35Mpa min | 68Mpa min | 10 μΩ•m no máximo | 00,1% no máximo |
| Se o seu material requerido não está dentro dos graus acima, por favor, entre em contato conosco sem hesitar,Nosso engenheiro profissional e experiente escolherá o grau mais adequado de acordo com sua aplicação específica. | |||||
Sobre a empresa ZMKJ
A ZMKJ pode fornecer wafers de SiC de cristal único de alta qualidade (Carburo de Silício) para a indústria eletrônica e optoeletrônica.com propriedades elétricas únicas e excelentes propriedades térmicas , em comparação com a bolacha de silício e a bolacha de GaAs, a bolacha de SiC é mais adequada para aplicações de dispositivos de alta temperatura e alta potência. A bolacha de SiC pode ser fornecida em diâmetro de 2-6 polegadas, tanto 4H quanto 6H SiC,Tipo N, tipo dopado com nitrogénio e semi-isolação disponíveis.
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Perguntas frequentes
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A: Os nossos produtos normais em estoque. como substratos 4 polegadas 0,35mm.