Bolacha HVPE Chip Template estando livre 5x5/10x10/5x10 milímetro do nitreto do gálio da Um-linha central
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | CHINA |
Marca: | zmkj |
Número do modelo: | GaN-FS-M-N-S5*10-DSP |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 10pcs |
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Preço: | 1200~2500usd/pc |
Detalhes da embalagem: | única caixa da bolacha pelo pacote do vácuo |
Tempo de entrega: | 1-5weeks |
Termos de pagamento: | T/T |
Habilidade da fonte: | 50pcs pelo mês |
Informação detalhada |
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Material: | Único cristal de GaN | tamanho: | mmt 10x10/5x5/5x10 |
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espessura: | 0.35mm | tipo: | N-tipo |
aplicação: | dispositivo de semicondutor | ||
Realçar: | Uma bolacha do nitreto do gálio da linha central,bolacha do nitreto do gálio 5x5,Posição livre Chip Template GaN Wafer |
Descrição de produto
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do mocvd, 5x5mm, bolacha de 10x5mm GaN, GaN Substrates autônomo Não-polar (um-plano e m-plano)
GaN Wafer Characteristic
Produto | Carcaças do nitreto do gálio (GaN) | ||||||||||||||
Descrição do produto: |
O molde de Saphhire GaN é apresentado o método da epitaxia da fase de vapor do hidruro de Epitxial (HVPE). No processo de HVPE, o ácido produziu pela reação GaCl, que por sua vez é reagida com a amônia para produzir o derretimento do nitreto do gálio. O molde Epitaxial de GaN é uma maneira eficaz na redução de custos de substituir carcaça de cristal do nitreto do gálio a única. |
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Parâmetros técnicos: |
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Especificações: |
Filme epitaxial de GaN (plano), N-tipo de C, 2" * 30 mícrons, safira; Filme epitaxial de GaN (plano), N-tipo de C, 2" * 5 mícrons de safira; Filme epitaxial de GaN (plano), N-tipo de R, 2" * 5 mícrons de safira; Filme epitaxial de GaN (M Plane), N-tipo, 2" * 5 mícrons de safira. Filme de AL2O3 + de GaN (N-tipo si lubrificado); Filme de AL2O3 + de GaN (P-tipo magnésio lubrificado) Nota: de acordo com a orientação e o tamanho especiais da tomada da procura dos clientes. |
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Empacotamento padrão: | saco 1000 quarto desinfetado, 100 limpo ou único empacotamento da caixa |
Aplicação
GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
- Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
- Armazenamento da data
- iluminação Energia-eficiente
- Exposição do fla da cor completa
- Laser Projecttions
- Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
- Dispositivos de alta frequência da micro-ondas
- Detecção alta-tensão e para imaginar
- Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia
- Detecção do ambiente e medicina biológica
- Faixa do terahertz da fonte luminosa
Especificações:
GaN Substrates autônomo Não-polar (um-plano e m-plano) | ||
Artigo | GaN-FS-um | GaN-FS-m |
Dimensões | 5.0mm×5.5mm | |
5.0mm×10.0mm | ||
5.0mm×20.0mm | ||
Tamanho personalizado | ||
Espessura | 350 µm do ± 25 | |
Orientação | ± 1° do um-plano | ± 1° do m-plano |
TTV | µm ≤15 | |
CURVA | µm ≤20 | |
Tipo da condução | N-tipo | |
Resistividade (300K) | < 0=""> | |
Densidade de deslocação | Menos do que os cm2 5x106 | |
Área de superfície útil | > 90% | |
Polonês | Front Surface: Ra < 0=""> | |
Superfície traseira: Terra fina | ||
Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio. |
Q: Que é sua exigência mínima da ordem?
: MOQ: 10 partes
Q: Quanto tempo tomará para executar minhas ordem e entrega ele?
: confirme a ordem 1days após ter confirmado o pagamento e a entrega em 5days se em estoques.
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: Nós prometemos a qualidade, se a qualidade tem quaisquer problemas, nós produziremos novo produzimo-lo ou retornamo-l dinheiro.
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: nós podemos ajudá-lo a pagar pela taxa se você não tem a conta,
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