• Bolacha HVPE Chip Template estando livre 5x5/10x10/5x10 milímetro do nitreto do gálio da Um-linha central
Bolacha HVPE Chip Template estando livre 5x5/10x10/5x10 milímetro do nitreto do gálio da Um-linha central

Bolacha HVPE Chip Template estando livre 5x5/10x10/5x10 milímetro do nitreto do gálio da Um-linha central

Detalhes do produto:

Lugar de origem: CHINA
Marca: zmkj
Número do modelo: GaN-FS-M-N-S5*10-DSP

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 10pcs
Preço: 1200~2500usd/pc
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha pelo pacote do vácuo
Tempo de entrega: 1-5weeks
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 50pcs pelo mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Único cristal de GaN tamanho: mmt 10x10/5x5/5x10
espessura: 0.35mm tipo: N-tipo
aplicação: dispositivo de semicondutor
Realçar:

Uma bolacha do nitreto do gálio da linha central

,

bolacha do nitreto do gálio 5x5

,

Posição livre Chip Template GaN Wafer

Descrição de produto

molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do mocvd, 5x5mm, bolacha de 10x5mm GaN, GaN Substrates autônomo Não-polar (um-plano e m-plano)

 

 

GaN Wafer Characteristic

Produto Carcaças do nitreto do gálio (GaN)
Descrição do produto:

O molde de Saphhire GaN é apresentado o método da epitaxia da fase de vapor do hidruro de Epitxial (HVPE). No processo de HVPE,

o ácido produziu pela reação GaCl, que por sua vez é reagida com a amônia para produzir o derretimento do nitreto do gálio. O molde Epitaxial de GaN é uma maneira eficaz na redução de custos de substituir carcaça de cristal do nitreto do gálio a única.

Parâmetros técnicos:
Tamanho 2" círculo; ± 2mm de 50mm
Posicionamento de produto ± <0001> 1,0 da C-linha central.
Tipo da condutibilidade N-tipo & P-tipo
Resistividade R <0>
Tratamento de superfície (cara de GA) COMO crescido
RMS <1nm>
Área de superfície disponível > 90%
Especificações:

 

Filme epitaxial de GaN (plano), N-tipo de C, 2" * 30 mícrons, safira;

Filme epitaxial de GaN (plano), N-tipo de C, 2" * 5 mícrons de safira;

Filme epitaxial de GaN (plano), N-tipo de R, 2" * 5 mícrons de safira;

Filme epitaxial de GaN (M Plane), N-tipo, 2" * 5 mícrons de safira.

Filme de AL2O3 + de GaN (N-tipo si lubrificado); Filme de AL2O3 + de GaN (P-tipo magnésio lubrificado)

Nota: de acordo com a orientação e o tamanho especiais da tomada da procura dos clientes.

Empacotamento padrão: saco 1000 quarto desinfetado, 100 limpo ou único empacotamento da caixa
 

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Aplicação

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

  • Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
  • Armazenamento da data
  • iluminação Energia-eficiente
  • Exposição do fla da cor completa
  • Laser Projecttions
  • Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
  • Dispositivos de alta frequência da micro-ondas
  • Detecção alta-tensão e para imaginar
  • Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia
  • Detecção do ambiente e medicina biológica
  • Faixa do terahertz da fonte luminosa


Bolacha HVPE Chip Template estando livre 5x5/10x10/5x10 milímetro do nitreto do gálio da Um-linha central 1

Especificações:

  GaN Substrates autônomo Não-polar (um-plano e m-plano)
Artigo GaN-FS-um GaN-FS-m
Dimensões 5.0mm×5.5mm
5.0mm×10.0mm
5.0mm×20.0mm
Tamanho personalizado
Espessura 350 µm do ± 25
Orientação ± 1° do um-plano ± 1° do m-plano
TTV µm ≤15
CURVA µm ≤20
Tipo da condução N-tipo
Resistividade (300K) < 0="">
Densidade de deslocação Menos do que os cm2 5x106
Área de superfície útil > 90%
Polonês Front Surface: Ra < 0="">
Superfície traseira: Terra fina
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.

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FAQ

Q: Que é sua exigência mínima da ordem?
: MOQ: 10 partes

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: confirme a ordem 1days após ter confirmado o pagamento e a entrega em 5days se em estoques.

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: nós podemos ajudá-lo a pagar pela taxa se você não tem a conta,

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