Detalhes do Blog

Para fabricar os dispositivos desejados a partir deOrifícios de silícioO primeiro passo é escolher a bolacha certa.

Espessura da wafer (THK):
A espessura dopastilhas de silícioDurante a fabricação das placas, é essencial um controlo preciso da espessura,Como a precisão e a uniformidade da espessura da wafer afetam diretamente o desempenho do dispositivo e a estabilidade do processo de fabrico.

Variação da espessura total (TTV):

O TTV refere-se à diferença máxima de espessura entre os pontos mais grossos e mais finos da superfície da wafer.Manter um TTV baixo garante uma distribuição de espessura consistente durante o processamento, o que ajuda a evitar problemas nas etapas de fabrico subsequentes e garante um desempenho óptimo do dispositivo.

Indicador total de leitura (TIR):
O TIR representa a planitude da superfície da bolacha, definida como a distância vertical entre os pontos mais altos e mais baixos da superfície da bolacha.O TIR é utilizado para avaliar se a bolacha apresenta alguma deformação ou deformação durante o processo de fabrico, assegurando que a planície da bolacha cumpre as especificações de processo exigidas.

Arco:
O arco refere-se ao deslocamento vertical do ponto central da bolacha em relação ao plano de suas bordas, usado principalmente para avaliar a flexão local da bolacha.É medida colocando a bolacha em uma superfície de referência plana e determinando a distância vertical entre o centro da bolacha e o plano de referênciaO valor de arco normalmente se concentra apenas na área central da bolacha e indica se a bolacha apresenta uma forma geral convexa (cúpula) ou côncava (discos).

Warp:
Warp descreve o desvio da forma geral da wafer de seu plano de referência ideal.Warp é definido como o desvio máximo entre qualquer ponto na superfície da bolacha e o plano de referência de melhor ajuste (normalmente calculado usando um método de mínimos quadrados)É determinada através da varredura de toda a superfície da bolacha, da medição da altura de todos os pontos e do cálculo do desvio máximo do plano de melhor ajuste.Warp fornece um indicador geral da planície da wafer, capturando a curvatura e a torção em toda a bolacha.

Diferença entre arco e dobra:
A principal diferença entre o Bow e o Warp reside na área que avaliam e no tipo de deformação que descrevem.fornecer informações sobre a curvatura local em torno da área central ̇ ideal para avaliar a curvatura localizadaEm contraste, a Warp mede desvios em toda a superfície da bolacha em relação ao plano de melhor ajuste,O sistema permite uma visão abrangente da planosidade e torção globais, tornando-o mais adequado para avaliar a forma global e a distorção da bolacha..

Tipo de condutividade / dopante:
Este parâmetro identifica o tipo de condutividade da wafer, isto é, se os elétrons ou os buracos são os principais portadores de carga.Wafers do tipo N, os elétrons são os portadores majoritários, normalmente obtidos por dopagem com elementos pentavalentes como fósforo (P), arsénio (As) ou antimónio (Sb).Wafers do tipo P, os buracos são a maioria dos portadores, criados por dopagem com elementos trivalentes como boro (B), alumínio (Al) ou gálio (Ga).A escolha do tipo de dopante e condutividade influencia directamente o comportamento elétrico dos dispositivos finais.

Resistividade (RES):
A resistividade, muitas vezes abreviada como RES, refere-se à resistividade elétrica dopastilhas de silícioO controlo da resistividade durante a fabricação de wafers é fundamental, uma vez que afecta directamente o desempenho dos dispositivos resultantes.Os fabricantes normalmente ajustam a resistividade da bolacha através da introdução de dopantes específicos durante o processamentoOs valores de resistividade-alvo típicos são fornecidos em tabelas de especificações para referência.

Contagem de partículas de superfície (partículas):
As partículas referem-se à contaminação dopastilhas de silícioEstas partículas podem originar-se de resíduos de materiais, gases de processo, poeira ou fontes ambientais durante a fabricação.A contaminação por partículas de superfície pode afetar negativamente a fabricação e o desempenho do dispositivo, pelo que é essencial um controlo rigoroso e a limpeza das superfícies das placas durante a produção.Os fabricantes geralmente empregam processos de limpeza especializados para reduzir e eliminar partículas da superfície para manter a alta qualidade da bolacha.

Como escolher o adequadoWafer de silício?
A seleção da bolacha de silício adequada pode ser orientada pelos padrões de inspeção e parâmetros típicos mostrados na tabela abaixo para bolachas de 6 polegadas.

• Variação de espessura:As variações de espessura geralmente causam desvios nos processos de gravação e corrosão, exigindo compensação durante a fabricação.

• Variação de diâmetro:Os desvios de diâmetro podem levar ao desalinhamento da litografia, mas o impacto é geralmente considerado menor.

• Tipo de condutividade e dopantes:Estes têm um efeito significativo no desempenho do dispositivo.

• Resistividade:A uniformidade da resistividade em toda a superfície da bolacha deve ser cuidadosamente considerada, pois a não uniformidade pode reduzir seriamente o rendimento do dispositivo.

• Orientação de Cristal:Se se tratar de uma gravação em húmido, devem ser tidos em conta os desvios de orientação.

• Arco e Warp:A flexão da wafer e a deformação afetam fortemente a precisão da litografia, particularmente quando se lida com pequenas dimensões críticas (CD) em padrões.

Produto relacionado

Wafer de silício N Tipo P Dopante 2 polegadas 4 polegadas 6 polegadas 8 polegadas Resistividade 0-100 Ohm-cm Lustrado de lado único