A competição de sic e GaN

Desde por volta de 2001, o nitreto do gálio do semicondutor composto provocou uma revolução de iluminação, que fosse de certa forma a revolução tecnologico a mais rápida na história da humanidade. De acordo com um estudo pela Agência Internacional de Energia, a parte do gálio nitreto-baseou diodos luminescentes no mercado de iluminação global aumentou de zero sobre a 50% em apenas duas décadas. A inteligência de Mordor da empresa da pesquisa previu recentemente que a iluminação do diodo emissor de luz se reduzirá iluminar o consumo de potência por 30% a 40% globalmente nos próximos sete anos. De acordo com dados do programa do ambiente de United Nations, a iluminação esclarece aproximadamente 20% do consumo de eletricidade e 6% de emissões do dióxido de carbono globalmente.

Esta revolução é longe de sobre. Certamente, está a ponto de pular a um de mais alto nível. A tecnologia de semicondutor que transformou a indústria de iluminação, nitreto do gálio (GaN), é igualmente parte da revolução da eletrônica de poder, que poised para decolar. Porque um dos semicondutores compostos, carboneto de silicone (sic), começou a substituir o silicone baseou produtos eletrônicos no campo enorme e importante da eletrônica de poder.

GaN e sic dispositivos executa melhor e é mais eficiente do que os componentes que do silicone estão substituindo. Há umas centenas de milhões de tais dispositivos no mundo inteiro, muitos de que opere por diversas horas pelo dia, assim que as economias de energia serão significativas. Comparado ao diodo emissor de luz de GaN que substitui lâmpadas incandescentes e a outra iluminação tradicional, a elevação de GaN e sic eletrônica de poder terá finalmente um impacto positivo maior no clima da terra.

Em quase todos os lugares onde é necessário converter a corrente alternada à corrente contínua ou à corrente contínua à corrente contínua, o poder desperdiçado é reduzido. Esta conversão ocorre em carregadores da parede para telefones celulares ou portáteis, carregadores maiores e inversores que veículos elétricos do poder, e em outra parte. Porque outras fortalezas do silicone igualmente caem em semicondutores novos, haverá umas economias similares. Os amplificadores sem fio da estação base são uma das aplicações crescentes em que estes semicondutores emergentes têm claramente vantagens. No esforço para abrandar alterações climáticas, eliminando o consumo e o desperdício de potência é um resultado acessível, e estes semicondutores são a maneira que nós a colhemos.

Este é um exemplo novo de um teste padrão comum na história da tecnologia: a realização simultânea de duas inovações de competência. Como todo o isto obterá livrado de? Em que áreas de aplicação dominará sic, e em que áreas GaN dominará? O exame cuidadoso das vantagens comparativas destes dois semicondutores pode fornecer-nos alguns indícios seguros.

Nitreto do gálio e carboneto de silicone: suas áreas competitivas

Domina hoje, sic inversores de EV e é encontrado tipicamente onde a obstrução e o poder da tensão que seguram capacidades são críticos e as frequências são baixas. GaN é a tecnologia preferida para o desempenho de alta frequência crítico, como as estações base 5G e 6G, e radar e aplicações de alta frequência da conversão de poder, tais como adaptadores de tomada da parede, microinverters, e fontes de alimentação.

Mas o conflito entre GaN e sic apenas começou. Apesar da competição, uma aplicação, um mercado, um mercado, nós podemos seguramente dizer que o ambiente da terra assentará bem em um vencedor. Como este ciclo novo de movimentos tecnologicos da renovação e do revitalização que nada pode parar para a frente, biliões de toneladas de emissões de gases de efeito estufa serão evitados nos próximos anos.