Produção de semicondutores de potência de carburo de silício para atualizar de wafers de 6 a 8 polegadas

Produção de semicondutores de potência de carburo de silício para atualizar de wafers de 6 a 8 polegadas

O processo de produção de semicondutores de potência de carburo de silício (SiC) deverá passar de wafers de 6 a 8 polegadas.fornecimento de semicondutores de potência de SiC ao mercado a preços competitivosA transição começará no terceiro trimestre de 2025.

Melhoria da eficiência da produção

Francesco Muggeri, Vice-Presidente de Produtos Power Discrete and Analog, partilhou ideias numa recente entrevista.Mas planejamos gradualmente a transição para 8 polegadas a partir do terceiro trimestre do próximo ano."Com o aumento do tamanho da wafer, cada wafer pode produzir mais chips, reduzindo assim o custo de produção por chip.Esta medida estratégica deverá satisfazer a crescente procura do mercado e estabilizar os preços.

Plano Global de Transição

A empresa elaborou um plano abrangente para esta transição. A mudança para as wafers de 8 polegadas começará na sua fábrica de wafers SiC em Catania, Itália, no terceiro trimestre do próximo ano.A sua fábrica em Singapura também vai passar para wafers de 8 polegadas.Além disso, espera-se que uma empresa comum na China inicie a produção de wafers de SiC de 8 polegadas no quarto trimestre do mesmo ano.

Dinâmica do mercado e projecções futuras

O cenário actual do mercado dos semicondutores de potência de SiC caracteriza-se por uma elevada procura e preços elevados.Os produtos que são vendidos agora baseiam-se em encomendas de há mais de dois anos"O que é mais importante, é que a Comissão não se preocupe com o facto de a Comissão não ter tido em conta a situação actual e que não tenha tido em conta a situação actual", explicou.

Impacto no mercado dos veículos elétricos

Em resposta às preocupações sobre uma possível desaceleração no mercado global de veículos elétricos (VE), Muggeri manteve-se otimista.Enquanto o crescimento desacelerou em alguns dos países de crescimento mais acelerado, como a EuropaA redução da procura de semicondutores no sector dos automóveis, em particular nos Estados Unidos e na Coreia do Sul, não levou a uma diminuição significativa da procura.e a demanda por semicondutores de potência de SiC continua forte"Muggeri observou.

Ele destacou as vantagens dos semicondutores de potência SiC em veículos elétricos, como um aumento de 18-20% na autonomia.A taxa de adopção dos semicondutores de potência de SiC nos automóveis deverá aumentar de 15% para 60% no futuroA tecnologia SiC desempenhará um papel fundamental na evolução da indústria automóvel.

Conclusão

A transição para as wafers de SiC de 8 polegadas marca um passo significativo para satisfazer a crescente procura de semicondutores de potência eficientes e rentáveis.Este movimento estratégico está pronto para aumentar as capacidades de produção e estabilizar os preços de mercado, apoiando os progressos em curso na tecnologia dos veículos elétricos e além.

Wafers de SiC de 8 polegadas disponíveis agora (clique na imagem para mais informações)

O presente estudo apresenta a caracterização de uma bolacha de carburo de silício (SiC) de tipo 4H-N de 8 polegadas, destinada a aplicações em semicondutores.foi fabricado utilizando técnicas de ponta e é dopado com impurezas do tipo nForam utilizadas técnicas de caracterização, incluindo difração de raios X (XRD), microscopia eletrônica de varredura (SEM) e medições do efeito Hall, para avaliar a qualidade do cristal, a morfologia da superfície, a qualidade da superfície e a composição da superfície.e propriedades elétricas da bolachaA análise XRD confirmou a estrutura do politipo 4H da wafer SiC, enquanto a imagem SEM revelou uma morfologia de superfície uniforme e livre de defeitos.