Lançado o novo Wafer SiC de 12 polegadas, impulsionando uma revolução na indústria de semicondutores de alto desempenho

Lançado o novo Wafer SiC de 12 polegadas, impulsionando uma revolução na indústria de semicondutores de alto desempenho

Xangai, 20 de Fevereiro de 2025 Shanghai Famous Trade Co., Ltd. está animada para anunciar o lançamento de seu novoWafer de carburo de silício (SiC) de 12 polegadas (300 mm), marcando um avanço significativo no campo dos materiais semicondutores de alto desempenho.Este produto cumpre os rigorosos requisitos dos ambientes de investigação e produção, e é amplamente utilizado em indústrias como veículos elétricos (EVs), eletrônica de potência e tecnologia de radiofrequência (RF).

Características principais da wafer SiC de alto desempenho

A nova bolacha de SiC de 12 polegadas apresenta uma orientação cristalina 4H-N e uma espessura de 750 ± 25 μm, oferecendo propriedades elétricas, térmicas e mecânicas excepcionais.Em comparação com os materiais tradicionais de silícioA alta condutividade térmica, a alta tensão de quebra e a excelente mobilidade dos elétrons permitem que o SiC funcione em tensões, temperaturas e frequências mais elevadas.Melhorar significativamente a eficiência e a fiabilidade do dispositivo.

• Vantagens materiais: O SiC tem uma banda larga, alta condutividade térmica e tolerância a alta tensão, tornando-o ideal para dispositivos eletrônicos de alta potência e alta temperatura, como MOSFETs de potência e diodos de potência.
• Propriedades mecânicas: A dureza e a rigidez do SiC® ultrapassam em muito os materiais tradicionais de silício, aumentando a durabilidade e a integridade estrutural dos dispositivos.
• Ampla aplicação: A nova bolacha de SiC de 12 polegadas é particularmente adequada para requisitos de alto desempenho em veículos elétricos, eletrônicos de potência, comunicações de alta frequência, iluminação LED e muito mais,impulsionar o progresso em indústrias como veículos de novas energias, energia renovável e sistemas de energia industrial.

Especificações do produto

• Diâmetro: 300 mm
• Espessura: 750±25 μm
• Orientação Cristalina: tipo 4H-N, <0001> (no eixo) e 4° fora do eixo <1120>
• Resistividade: 0,015 0,03 Ω·cm
• Densidade de microtubos (MPD): ≤ 10/cm2
• Superfície rugosa: Polish Ra ≤1nm, CMP Ra ≤0,2nm
• Embalagem: recipiente de wafer único

Perspectivas de aplicação inovadora

A nova bolacha de SiC de 12 polegadas será amplamente utilizada em produtos eletrônicos de alta potência, especialmente em sistemas de gerenciamento de energia de veículos elétricos, redes inteligentes, armazenamento de energia e sistemas de conversão de energia.Estabilidade de alta temperatura do SiC, fortes capacidades de manipulação de energia e características de comutação rápida tornam-na uma escolha ideal para dispositivos semicondutores de baixa potência e eficiência energética de próxima geração.

Além disso, estas wafers desempenharão um papel fundamental em aplicações de alta frequência, como comunicações 5G, sistemas aeronáuticos e militares de radar.À medida que a procura de dispositivos electrónicos de alto desempenho continua a aumentar, a bolacha de SiC de 12 polegadas está prestes a tornar-se uma grande força motriz na indústria de semicondutores.

Sobre a Shanghai Famous Trade Co., Ltd.

A Shanghai Famous Trade Co., Ltd. é especializada em pesquisa, desenvolvimento e fornecimento de materiais semicondutores de alto desempenho.Estamos comprometidos em fornecer tecnologias de ponta e produtos de alta qualidade para clientes globaisCom anos de experiência tecnológica e de mercado, tornamo-nos um líder reconhecido e um parceiro de confiança na indústria.

Para mais informações sobre o produto ou pedidos, visite o nosso site oficial ou entre em contato com a nossa equipa de vendas.Estamos ansiosos para nos juntar a vocês no avanço da próxima geração de semicondutores de alto desempenho..