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Orientação111 100 SSP DSP Alta pureza InP Wafer de semicondutores 6'4' InP Wafers
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMSH |
| Número do modelo: | InP |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1 |
|---|---|
| Tempo de entrega: | 2-4weeks |
| Termos de pagamento: | T/T |
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Informação detalhada |
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| EPD: | 5500 cm2 | Concentração de doping: | Concentração do elemento dopante 1 × 10^16 - 1 × 10^18 Cm^-3 |
|---|---|---|---|
| Espessura: | 350 + 10um | Densidade de defeito: | ≤ 500 cm2 |
| Diâmetro: | 2-6 polegadas | Elementos dopantes: | Elementos utilizados para dopagem Antimônia (Sb), Índio (In), Fósforo (P), etc. |
| Polido: | DSP SSP | Mobilidade: | 1200~2000 |
| Realçar: | SSP Wafer de fosfeto de ídio,Wafer de semicondutor InP de alta pureza,Wafers de 4' InP |
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Descrição de produto
Descrição do produto:
O nossoInPAs placas semicondutoras (fosfeto de ínio), conhecidas por suas excepcionais propriedades eletrônicas e optoeletrônicas, encontraram amplas aplicações em comunicações, óptica e eletrônica.Utilização de tecnologias avançadas de crescimento e processamento, asseguramos a alta pureza e uniformidade das nossas placas, proporcionando mobilidade eletrônica excepcional e baixa densidade de defeito para atender aos rigorosos requisitos das aplicações de ponta.Os wafers estão disponíveis em diâmetros que variam de 2 a 4 polegadas, com espessura e rugosidade da superfície personalizáveis de acordo com as necessidades do cliente.Oferecemos garantia de qualidade e suporte técnico para garantir que cada wafer atenda às expectativas dos nossos clientesQuer sejam utilizados para a fabricação de componentes de comunicação de fibra óptica de alta velocidade ou servindo como substrato para células solares e sensores, os nossosInPAs bolachas são a sua escolha ideal.
Características:
- Alta mobilidade de elétrons:InPPossui uma mobilidade eletrônica excepcionalmente alta, o que significa que os elétrons podem se mover através do material a velocidades extremamente altas.Esta característica torna o InP ideal para dispositivos eletrónicos de alta velocidade e aplicações de alta frequência..
- Bandgap direto:InPé um semicondutor de banda directa, o que implica que pode converter diretamente fótons entre a banda de condução e a banda de valência.Isto resulta numa eficiência muito elevada nos diodos láser e fotodetectores.
- Propriedades ópticas excepcionais:InPA sua transparência óptica é excelente, em especial na região infravermelha, o que a torna amplamente utilizada em sistemas de óptica infravermelha e de comunicação por fibra óptica.
- Alta condutividade térmica:InPapresenta uma condutividade térmica relativamente elevada, ajudando na efetiva dissipação de calor nos dispositivos eletrónicos.
- Estabilidade química:InPé quimicamente estável e altamente resistente a muitas substâncias químicas no ambiente.
- Compatibilidade:InPpode formar heterostruturas com outros materiais do grupo III-V, como GaAs e InGaAs, o que é crucial na fabricação de dispositivos optoeletrônicos e microeletrônicos de alto desempenho.
- Resistência mecânica: embora mais frágil que o silício,InPAinda tem uma resistência mecânica suficiente para suportar as pressões dos processos de fabrico e embalagem.
- Resistência à radiação:InPTem uma forte resistência à radiação, tornando-o adequado para utilização em ambientes adversos, como aplicações espaciais.
- Em geral, estas característicasInPContribuir para o seu desempenho excepcional em aplicações optoeletrônicas de alta velocidade, de alta frequência e de alto desempenho.
Parâmetros técnicos:
| Parâmetro | Valor |
|---|---|
| Espessura | 350 ± 10um |
| Concentração de doping | 1×10^16 - 1×10^18 Cm^-3 |
| EPD | 5500 cm2 |
| Densidade de defeito | ≤ 500 cm2 |
| Mobilidade | 1200~2000 |
| Embalagem | Embalagem a vácuo, reabastecida com nitrogénio |
| Condições de armazenagem | Temperatura 20-25°C, Umidade ≤ 60% |
| Diâmetro | 2-6 polegadas |
| Elementos dopantes | Antimônio (Sb), Índio (In), Fósforo (P), etc. |
| Tipo de condutividade | Tipo N ou tipo P |
Aplicações:
- Comunicação por fibra óptica:InPÉ um material indispensável para a fabricação de equipamentos de comunicação de fibra óptica de alta velocidade, tais como diodos laser e amplificadores ópticos.Capacidades de transmissão de dados de largura de banda elevada, tornando-a um componente fundamental na construção de redes de comunicação modernas.
- Detectores fotográficos:InPO sistema de detecção de luz pode ser usado para criar fotodetectores que convertem sinais ópticos em sinais elétricos. Isso tem aplicações importantes em comunicação de fibra óptica, imagem óptica e sensores.
- Células solares: A elevada mobilidade dos elétrons e as propriedades de bandaInPTornar-no um material ideal para a fabricação de células solares eficientes, especialmente para aplicações espaciais e sistemas fotovoltaicos concentrados.
- Laser:InPÉ utilizado para produzir vários tipos de lasers semicondutores, incluindo os utilizados na comunicação com comprimentos de onda ópticos específicos e os lasers utilizados em aplicações médicas.
- Dispositivos Eletrônicos de Alta Velocidade: devido à sua alta mobilidade eletrônica,InPÉ o material escolhido para a fabricação de transistores de alta velocidade e circuitos integrados, que são cruciais no radar, comunicação e computação.
- Óptica infravermelha:InPÉ transparente nas faixas de comprimento de onda infravermelhos, tornando-o adequado para a fabricação de componentes ópticos infravermelhos, como lentes e janelas.
Personalização:
A ZMSH oferece serviços de personalização de bolinhas de nitrito de gálio com qualidade garantida.Algumas das características do nosso Gallium Nitride Wafer incluem:
- Marca: ZMSH
- Número do modelo:InP
- Local de origem: China
- Embalagem: Embalagem a vácuo, com reabastecimento de nitrogénio
- Elementos dopantes: antimônio (Sb), ínio (In), fósforo (P), etc.
- Densidade de defeito: ≤ 500 cm^-2
- Diâmetro: 2-6 polegadas
- Condições de armazenagem: temperatura 20-25°C, umidade ≤ 60%
A nossa Wafer de Nitreto de Gállio também apresenta alta qualidade e fiabilidade, com rigoroso controlo de qualidade durante o processo de fabrico.Contacte-nos hoje para saber mais sobre a nossa Wafer de Nitreto de Gállio personalizável!
Apoio e Serviços:
Na XYZ Company, fornecemos suporte técnico e serviço para nossos produtos de Gallium Nitride Wafer.A nossa equipa de engenheiros e técnicos experientes está disponível para responder a quaisquer perguntas que possam ter sobre o seu produtoTambém estamos disponíveis para ajudar na solução de problemas, fornecer peças de reposição e oferecer serviços de manutenção de rotina.
Oferecemos suporte através do nosso portal de atendimento ao cliente online, e-mail ou telefone.Estamos felizes em ajudar e faremos o nosso melhor para garantir que o seu produto funcione corretamente.
Se precisar de mais suporte técnico, oferecemos um pacote de serviços adicionais que inclui documentos técnicos detalhados, acesso à nossa equipe de engenharia e uma extensão de garantia para o seu produto.A nossa equipa de apoio técnico está aqui para ajudar e pode responder a quaisquer perguntas que possam ter.
Estamos orgulhosos da qualidade dos nossos produtos e serviços, e nos esforçamos para garantir que os nossos clientes estejam satisfeitos com a sua compra.Por favor, não hesite em contactar-nos..
Embalagem e transporte:
Embalagem e transporte da bolacha de nitrato de gálio:
As bolinhas de nitruro de gálio (GaN) são normalmente enviadas em recipientes fechados a vácuo ou fechados com gás nitrogênio.e data de fabricoDurante o transporte, os contentores devem ser embalados em papel de borracha ou espuma de poliestireno para amortecimento adicional.
Perguntas frequentes:
- P:Qual é a marca da Gallium Nitride Wafer?
A:A marca da Gallium Nitride Wafer é ZMSH. - P:Qual é o número de modelo da Gallium Nitride Wafer?
A:O número de modelo da bolacha de nitreto de gálio é InP. - P:Onde é fabricado o Gallium Nitride Wafer?
A:O Gallium Nitride Wafer é fabricado na China. - P:Quais são as utilizações da Gallium Nitride Wafer?
A:O Gallium Nitride Wafer é usado para várias aplicações, como energia e eletrônica de alta frequência, optoeletrônica e dispositivos de microondas. - P:Quais são as vantagens da Gallium Nitride Wafer?
A:O Gallium Nitride Wafer tem muitas vantagens, incluindo maior tensão de quebra, alta condutividade térmica e elétrica e operação a alta temperatura.