2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo

Informação Básica
Lugar de origem: CHINA
Marca: zmkj
Número do modelo: molde 2inch
Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha pelo pacote do vácuo
Tempo de entrega: 1-5weeks
Termos de pagamento: T/T
Habilidade da fonte: 50pcs pelo mês
Material: GaN na safira Tamanho: 2 polegadas
Espessura: 4mm na safira de 0.43mm TIPO: N-type un-doped
Aplicação: Diodo emissor de luz
Realçar:

Bolacha do nitreto do gálio de 2 polegadas

,

Sapphire Substrates Gallium Nitride Wafer

,

Diodo emissor de luz GaN Wafer

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molde da camada de GaN AlGaN AlN da espessura de 2inch 1um 4um pelo MOCVD em carcaças da safira de SSP 430um

 

GaN Wafer Characteristic

  1. Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)

O nitreto do gálio é um tipo de semicondutores compostos de largo-Gap. A carcaça do nitreto do gálio (GaN) é

uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, que foi desenvolvida originalmente para 10+years em China. As características são uniformidade cristalina, boa alta, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN são usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde) além disso, desenvolvimento progrediu para o poder e aplicações de alta frequência do dispositivo eletrónico.

 

A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e o infravermelho ultravioletas, visíveis.

 

Aplicação

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

  • Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.       Armazenamento da data
  • iluminação Energia-eficiente                                        Exposição do fla da cor completa
  • Laser Projecttions                                                 Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
  • Dispositivos de alta frequência da micro-ondas                   Detecção alta-tensão e para imaginar
  • Tecnologia nova do hidrogênio do solor da energia               Detecção do ambiente e medicina biológica
  • Faixa do terahertz da fonte luminosa

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo 0

Especificações:

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo 12Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo 2

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo 3

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo 4

 

SOBRE NOSSA fábrica do OEM

2Inch 4inch GaN Gallium Nitride Wafer autônomo 5

 

Nossa visão da empresa de Factroy
nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria nossa fábrica.
GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida
e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto
e eficiência elevada, diodo emissor de luz de poupança de energia.

- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 4 semanas de trabalho após a ordem.

Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio.

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de ROHS e alcançar relatórios para nossos produtos.

 

 

Contacto
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