Resumo: Descubra o substrato Dummy Prime SiC de 2 e 4 polegadas de alto desempenho, projetado para resistência ao choque térmico e durabilidade superior. Ideais para aplicações eletrônicas de semicondutores e LED de alta potência, esses wafers de carboneto de silício vêm em tamanhos e tipos personalizáveis, incluindo 4H-N e 6H-N. Explore a próxima geração de materiais semicondutores com ZMKJ.
Wafers SiC tipo 4H-N e 6H-N de alta pureza para desempenho superior.
Excelente resistência ao choque térmico para aplicações em altas temperaturas.
Ideal para eletrônicos semicondutores e dispositivos LED de alta potência.
Disponível nos tipos tipo N e semi-isolante.
Dureza Mohs de ≈9,2 para durabilidade excepcional.
Condutividade térmica de até 4,9 W/cm*K para dissipação de calor eficiente.
Adequado para ambientes de alta tensão e alta temperatura.
Perguntas Frequentes:
Quais são os tamanhos disponíveis para as bolachas de SiC?
As bolachas SiC estão disponíveis em tamanhos de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas, com opções de personalização.
Que tipos de wafers SiC a ZMKJ oferece?
A ZMKJ oferece wafers de SiC do tipo 4H-N, do tipo 6H-N e semi-isolantes, atendendo a diversas necessidades industriais.
Qual é o prazo de entrega dos wafers SiC customizados?
Para produtos personalizados, o prazo de entrega é normalmente de 2 a 4 semanas após a confirmação do pedido.
Como a condutividade térmica dos wafers de SiC beneficia as aplicações?
A alta condutividade térmica (até 4,9 W/cm*K) garante uma dissipação de calor eficiente, tornando-os ideais para dispositivos de alta potência e alta temperatura.