Resumo: Descubra os chips de cristal SiC 10 x 10 x 0,5 mm de carboneto de silício 4H-N de alta qualidade, perfeitos para aplicações de semicondutores e optoeletrônicas. Estas janelas ópticas de SiC oferecem propriedades térmicas e elétricas excepcionais, ideais para ambientes de alta temperatura e alta tensão. Tamanhos personalizados disponíveis para suas necessidades específicas.
Recursos de Produtos Relacionados:
Chips de cristal de carboneto de silício (SiC) tipo 4H-N de alta pureza com excelente condutividade térmica.
Disponível em tamanhos personalizados, incluindo diâmetros de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas.
Ideal para eletrônicos semicondutores operando em altas temperaturas ou altas tensões.
Substrato popular para o cultivo de dispositivos GaN e dissipador de calor em LEDs de alta potência.
Dureza Mohs de ≈9,2, garantindo durabilidade e resistência ao desgaste.
Coeficiente de expansão térmica de 4-5×10-6/K, adequado para desempenho estável sob estresse térmico.
Índice de refração @750nm: não = 2,61, ne = 2,66 para aplicações ópticas precisas.
Campo elétrico de ruptura de 3-5×106V/cm, perfeito para dispositivos eletrônicos de alta potência.
Perguntas Frequentes:
Quais são os tamanhos comuns disponíveis para o wafer de carboneto de silício?
O Wafer de Carboneto de Silício está disponível em tamanhos comuns de diâmetros de 2 polegadas, 3 polegadas, 4 polegadas e 6 polegadas, com opções de personalização para requisitos específicos.
Quais são as principais aplicações dos chips de cristal 4H-N SiC?
Os chips de cristal SiC 4H-N são amplamente utilizados em eletrônica de semicondutores, LEDs de alta potência e como substratos para dispositivos GaN devido às suas excelentes propriedades térmicas e elétricas.
O Wafer de Carboneto de Silício pode ser personalizado para necessidades específicas?
Sim, o Wafer de Carboneto de Silício pode ser personalizado em tamanho e tipo (4H-N, 6H-N ou semi-isolante) para atender aos requisitos específicos de sua aplicação.