III - Nitreto 2 INCH Wafer GaN em pé livre

1. III-nitreto ((GaN,AlN,InN)

O Nitreto de Gállio é um tipo de semicondutor composto de grande espaço.

Um substrato monocristalino de alta qualidade, fabricado com o método original HVPE e tecnologia de processamento de wafer, que foi originalmente desenvolvido há mais de 10 anos na China.As características são cristalinas.Os substratos de GaN são utilizados para muitos tipos de aplicações, para LEDs brancos e LD ((violeta, azul e verde).O desenvolvimento avançou para aplicações de dispositivos electrónicos de potência e alta frequência.

A largura de banda proibida (emissão e absorção de luz) abrange a luz ultravioleta, a luz visível e a infravermelha.

Vantagens desta especificação

Aplicação:

O GaN pode ser usado em muitas áreas, como tela LED, detecção e imagem de alta energia,
Display de projecção a laser, dispositivo de alimentação, etc.

• Dispositivos de microondas de alta frequência Detecção e imaginação de alta energia
• Novas energias solor tecnologia de hidrogénio Ambiente Detecção e medicina biológica
• Faixa de terahertz da fonte luminosa
• Display de projecção a laser, dispositivo de alimentação, etc. Armazenamento de dados
• Iluminação energéticamente eficiente
• Projecções a laser Dispositivos eletrônicos de alta eficiência

A nossa visão da empresa Factroy
forneceremos substrato de GaN de alta qualidade e tecnologia de aplicação para a indústria com a nossa fábrica.
O material GaN de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação de nitritos III, por exemplo, longa vida útil
e LDs de alta estabilidade, dispositivos de micro-ondas de alta potência e alta confiabilidade,
e LEDs de alta eficiência e poupança de energia.

-FAQ
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