grau Sapphire Wafers Thickness de Miscut 4 da C-linha central de 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp

grau Sapphire Wafers Thickness de Miscut 4 da C-linha central de 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp

Detalhes do produto:

Lugar de origem: porcelana
Marca: ZMKJ
Certificação: ROHS
Número do modelo: 2INCH 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 25pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: caixa da bolacha do cassettle 25pcs no saco da limpeza de 100 categorias
Tempo de entrega: 1-4weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1000PCS pelo mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Sapphire substrate grade orientation: C miscut A 4 Degree
Thickness: 0.175mm/0.3mm/0.43mm/0.5mm Surface: SSP OR DSP
TTV: <10um BOW: <10um
Warp: <15um Package: 25 cassettle in 100 grade cleaning room by vacuum package
Realçar:

0.5mm Sapphire Substrate

,

4 graus Sapphire Wafers

,

C-linha central Sapphire Wafers

Descrição de produto

2inch plano da polegada C de Sapphire Wafers Thickness 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 2 do grau de 50.8mm C Miscut A 4 lustrou Sapphire Wafers Crystal Substrates


As especificações da carcaça da bolacha da safira 2inch

  • Material: Pureza alta >99.99%, único Al2O3 de cristal

  • Dimensão: 50,8 milímetro +/- 0,1 milímetros

  • Espessura: 430 um +/- 25 um para SSP e 400 um +/- 25 um para DSP (a outra espessura disponível mediante solicitação)

  • Parâmetro da estrutura: a=4.785 A, c=12.991 A

  • Densidade: 3,98 g/cm3

  • Orientação: Plano de C (0001) a M grau (de 1-100) 0,2 +/- 0,1 fora.

  • Orientação lisa preliminar: Um-plano [11-20] +/- 0,2 graus

  • Comprimento liso preliminar: 16,0 +/- 1,0 milímetros

  • Variação total da espessura (TTV): <5 um="">

  • Curva: <10 um="">

  • Urdidura: <10 um="">

  • Coeficiente da expansão térmica: paralela de 6,66 x de 10-6/°C à linha central de C, perpendicular de 5 x de 10-6/°C à linha central de C

  • Força dielétrica: 4,8 x 105 V/cm

  • Constante dielétrica: 11,5 (1 megahertz) ao longo da linha central de C, 9,3 perpendicular (1 megahertz) à linha central de C

  • Tangente da perda dielétrica (a.k.a fator de dissipação): menos de 1 x 10-4

  • Condutibilidade térmica: 40 com (m.K) em 20℃

  • Polonês: (SSP) Ra de superfície epi-pronto lustrado único lado da parte anterior < 0="">

PROPRIEDADES ÓTICAS de SAPPHIRE Al 2O3
Escala de transmissão 0,17 a 5,5 mícrons
R.I. 1,75449 (o) 1,74663 (e) em 1,06 mícrons
Perda de reflexão em 1,06 mícrons (2 superfícies) para o-Ray - 11,7%; para e-Ray - 14,2%
Posicione da absorção 0,3 x 10-3 cm-1 em 2,4 mícrons
dN/dT 13,7 x 10-6 em 5,4 mícrons
dn/dm = 0 1,5 mícrons

 

PROPRIEDADES FÍSICAS de SAPPHIRE Al 2O3
Densidade 3,97 g/cm3
Ponto de derretimento 2040 graus de C
Condutibilidade térmica 27,21 com (m x K) em 300 K
Expansão térmica 5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K
Dureza Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g
Capacidade de calor específico 419 j (quilograma x K)
Constante dielétrica 11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz
Módulo Young (e) 335 GPa
Módulo da tesoura (g) 148,1 GPa
Módulo de maioria (K) 240 GPa
Coeficientes elásticos C11=496 C12=164 C13=115
C33=498 C44=148
Limite elástico aparente MPa 275 (40.000 libras por polegada quadrada)
Relação de Poisson 0,25

grau Sapphire Wafers Thickness de Miscut 4 da C-linha central de 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 0grau Sapphire Wafers Thickness de Miscut 4 da C-linha central de 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 1grau Sapphire Wafers Thickness de Miscut 4 da C-linha central de 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 2grau Sapphire Wafers Thickness de Miscut 4 da C-linha central de 2inch 50.8mm 0.175mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm Dsp 3

2inch 3inch 4inch 6inch 8inch no estoque

Bolacha padrão
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 2 polegadas
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 3 polegadas
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 4 polegadas
bolacha SSP/DSP da safira do C-plano de 6 polegadas
Orientação especial
bolachas da safira do Um-plano (1120)
bolachas da safira do R-plano (1102)
bolachas da safira do M-plano (1010)
C-linha central com um offcut de 0.5°~ 10°, para a Um-linha central ou a M-linha central
A outra orientação personalizada
 
Tamanho personalizado
bolacha da safira de 10x10x0.5mm
bolacha da safira de 20x20x0.5mm
(100um) bolacha ultra fina da safira 2inch
bolacha da safira de 8 polegadas
Sapphire Substrate modelada (PSS)
C-plano PSS de 2 polegadas
C-plano PSS de 4 polegadas
                       2inch

DSP C-AXIS 0.1mm/0.175mm/0.2mm/0.3mm/0.4mm/0.5mm/1.0mmt
C-linha central 0.2/0.43mm de SSP
(DSP&SSP) A-axis/M-axis/R-axis 0.43mm
 

                      3inch

C-linha central 0.43mm/0.5mm de DSP/SSP
 

                     4Inch

c-linha central 0.4mm/0.5mm/1.0mm do dsp
c-linha central 0.5mm/0.65mm/1.0mmt do ssp
 
 

                      6inch

c-linha central 1.0mm/1.3mmm do ssp
 
c-linha central 0.65mm/0.8mm/1.0mmt do dsp
 


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FAQ
                                     

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