diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm

Informação Básica
Lugar de origem: China
Marca: ZMKJ
Número do modelo: UTI-AlN-150
Quantidade de ordem mínima: 3pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
Tempo de entrega: em 30days
Termos de pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 50PCS/Month
carcaça: bolacha de silicone camada: Molde de AlN
espessura da camada: 200-1000nm tipo da condutibilidade: N/P
Orientação: 0001 aplicação: poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência
aplicação 2: dispositivos de 5G saw/BAW espessura do silicone: 525um/625um/725um
Realçar:

Carcaça do semicondutor de AlN

,

carcaça do aln do diâmetro de 30mm

,

o aln de 30mm escolhe de cristal

 

diâmetro 150mm   8inch 4inch 6inch Silicone-baseou o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone

 

Aplicações de   Molde de AlN
a tecnologia de semicondutor Silicone-baseada alcançou seus limites e não podia satisfazer as exigências do futuro
dispositivos eletrónicos. Como um tipo típico do material do semicondutor 3rd/4th-generation, o nitreto de alumínio (AlN) tem
as propriedades físicas e químicas superiores tais como o bandgap largo, condutibilidade térmica alta, divisão alta arquivaram,
a resistência eletrônica alta da mobilidade e da corrosão/radiação, e é uma carcaça perfeita para dispositivos optoelectronic,
dispositivos eletrónicos dos dispositivos da radiofrequência (RF), os de alta potência/os de alta frequência, etc… particularmente, carcaça de AlN são
o melhor candidato para UV-LED, detectores UV, lasers UV, dispositivos RF de alta potência/de alta frequência de 5G e 5G SAW/BAW
dispositivos, que poderiam extensamente ser usados na proteção ambiental, eletrônica, comunicações sem fio, impressão,
campos da biologia, dos cuidados médicos, os militares e o outro, tais como a purificação/esterilização UV, cura UV, photocatalysis, coun?
detecção do terfeit, armazenamento do alto densidade, uma comunicação médica phototherapy, da droga da descoberta, a sem fio e a segura,
detecção aeroespacial/espaço e outros campos.
nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias proprietários para fabricar
moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada AlN
moldes na capacidade em grande escala da produção industrial com capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo
procura do mercado de uma comunicação UVC-LED, 5G sem fio, dos detectores UV e dos sensores etc.
 
Nós fornecemos atualmente clientes o nitrogênio de alta qualidade estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm
De alumínio escolha os produtos de cristal da carcaça, e possa igualmente fornecer clientes o 10-20mm não-polar
carcaça de cristal do nitreto de alumínio do M-plano única, ou para personalizar 5mm-50.8mm não padronizados aos clientes
Única carcaça de cristal lustrada do nitreto de alumínio. Este produto é amplamente utilizado como um material da carcaça da parte alta
Usado em microplaquetas de UVC-LED, em detectores UV, em lasers UV, e no vário poder superior
temperatura de /High/campo de alta frequência do dispositivo eletrónico.
 
 
             Especificação
 
Especificação característica
  • Modelo                                                           Cristal de UTI-AlN-030B-single
  • Diâmetro                                                            Dia30±0.5mm;
  • Espessura da carcaça (µm)                                      400 ± 50
  • Orientação                                                        C-linha central [0001] +/- 0.5°

     Categoria de qualidade              S-categoria (super)    P-categoria (produção)       R-categoria (pesquisa)

 
  • Quebras                                                  Nenhum                      Nenhum <3mm>
  •                                  
  • FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>                  0
  • FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>                 0
  • Aspereza de superfície [5×5µm] (nanômetro)          Al-cara <0>
  • Área útil                                       90%
  • A absorvência<50>
  •                              
  • primeiro da orientação do comprimento                                         {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)                                                                       ≤30
  • Curva (µm)                                                                        ≤30
  • Urdidura (µm)                                                                    -30~30
  • Nota: Estes resultados da caracterização podem variar levemente segundo os equipamentos e/ou o software empregados
diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 0

diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 1

diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 2

 

diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 3

diâmetro AlN único Crystal Semiconductor Substrate de 30mm 4

 
elemento da impureza    Fe do Na W.P.S Si do si B de C O
PPMW                        27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
 
 
Estrutura de cristal

Wurtzite

Constante da estrutura (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução Bandgap direto
Densidade (g/cm3) 3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop) 800
Ponto de derretimento (℃) 2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K) 320
Energia da diferença de faixa (eV) 6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2) 1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm) 11,7

 

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