• Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial
  • Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial
  • Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial
  • Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial
  • Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial
Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial

Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial

Detalhes do produto:

Lugar de origem: NC
Marca: ZMSH
Certificação: ROHS
Número do modelo: S-C-N

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 3pcs
Preço: BY case
Detalhes da embalagem: único recipiente da bolacha sob o quarto desinfetado
Tempo de entrega: 2-6weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Cristal do GaAs Orientação: 100 2°off
Tamanho: 6INCH Método do crescimento: VGF
Espessura: 675±25um EPD: <500>
Entorpecente: Si-lubrificado Forma: com entalhe
TTV: 10 um Curva: 10 um
Superfície: SSP
Realçar:

Carcaça do semicondutor do GaAs

,

Carcaça do semicondutor de VGF

,

tipo carcaça do crescimento epitaxial n

Descrição de produto

 

 

N-tipo bolacha principal de VGF 2inch 4inch 6inch do GaAs da categoria para o crescimento epitaxial

 

A bolacha do GaAs (arsenieto de gálio) é uma alternativa vantajosa ao silicone que tem evoluído na indústria do semicondutor. Menos consumo de potência e mais eficiência oferecidos por bolachas deste GaAs estão atraindo os jogadores do mercado para adotar estas bolachas, aumentando desse modo a procura para a bolacha do GaAs. Geralmente, esta bolacha é usada para fabricar semicondutores, diodos luminescentes, termômetros, circuitos eletrônicos, e barômetros, além de encontrar a aplicação na fabricação de ligas de baixa temperatura de fusão. Como o semicondutor e o circuito eletrônico as indústrias continuam a tocar em picos novos, o mercado do GaAs estão crescendo. O arsenieto de gálio da bolacha do GaAs tem o poder de gerar o laser da eletricidade. O cristal especialmente policristalino e único é o tipo dois principal de bolachas do GaAs, que são utilizadas na produção da microeletrônica e de ótica eletrónica para criar o LD, o diodo emissor de luz, e os circuitos da micro-ondas. Consequentemente, a escala extensiva de aplicações do GaAs, particularmente na ótica eletrónica e na indústria da microeletrônica está criando um influxo da procura no mercado da bolacha dos theGaAs. Previamente, os dispositivos optoelectronic foram usados principalmente em uma escala larga em comunicações óticas de curto prazo e em periféricos de computador. Mas agora, estão na procura para algumas aplicações emergentes tais como o lidar, a realidade aumentada, e o reconhecimento de cara. LEC e VGF são dois métodos populares que estão melhorando a produção de bolacha do GaAs com uniformidade alta de propriedades elétricas e da qualidade de superfície excelente. A mobilidade de elétron, a única junção faixa-Gap, uma eficiência mais alta, a resistência do calor e de umidade, e a flexibilidade superior são as cinco vantagens distintas do GaAs, que estão melhorando a aceitação de bolachas do GaAs na indústria do semicondutor.

 

 

O que nós fornecemos:

Artigo
Y/N
Artigo
Y/N
Artigo
Y/N
Cristal do GaAs
sim
Categoria eletrônica
sim
Tipo de N
sim
Placa do GaAs
sim
Categoria infravermelha
sim
Tipo de P
sim
Carcaça do GaAs
sim
Categoria da pilha
sim
Undoped
sim
Bolacha do epi do GaAs
sim
 
Detalhe da especificação:
 
GaAs (arsenieto de gálio) para aplicações do diodo emissor de luz
Artigo Especificações Observações
Tipo da condução SC/n-type  
Método do crescimento VGF  
Entorpecente Silicone  
Bolacha Diamter 2, 3 & 4 polegadas Lingote ou como-corte disponível
Crystal Orientation (100) 2°/6°/15° fora de (110) O outro misorientation disponível
DE EJ ou E.U.  
Concentração de portador (0.4~2.5) E18/cm3  
Resistividade no RT (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
Mobilidade 1500~3000 cm2/V.sec  
Gravura em àgua forte Pit Density <500>  
Marcação do laser mediante solicitação  
Revestimento de superfície P/E ou P/P  
Espessura 220~350um  
Epitaxia pronta Sim  
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha  

GaAs (arsenieto de gálio), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica

 

Artigo
Especificações
Observações
Tipo da condução
Isolamento
 
Método do crescimento
VGF
 
Entorpecente
Undoped
 
Bolacha Diamter
2, 3, 4 & 6 polegadas
Lingote disponível
Crystal Orientation
(100) +/- 0.5°
 
DE
EJ, E.U. ou entalhe
 
Concentração de portador
n/a
 
Resistividade no RT
>1E7 Ohm.cm
 
Mobilidade
>5000 cm2/V.sec
 
Gravura em àgua forte Pit Density
<8000>
 
Marcação do laser
mediante solicitação
 
Revestimento de superfície
P/P
 
Espessura
350~675um
 
Epitaxia pronta
Sim
 
Pacote
Única recipiente ou gaveta da bolacha
 
Não. Artigo Especificação padrão
1 Tamanho   2" 3" 4" 6"
2 Diâmetro milímetro 50.8±0.2 76.2±0.2 100±0.2 150±0.5
3 Método do crescimento   VGF
4 Lubrificado   Un-lubrificado, ou Si-lubrificado, ou Zn-lubrificado
5 Maestro Type   N/A, ou SC/N, ou SC/P
6 Espessura μm (220-350) ±20 ou (350-675) ±25
7 Crystal Orientation   <100>±0.5 ou 2 fora
Opção da orientação de OF/IF   EJ, E.U. ou entalhe
Plano da orientação (DE) milímetro 16±1 22±1 32±1 -
Plano da identificação (SE) milímetro 8±1 11±1 18±1 -
8 Resistividade (Não para
Mecânico
Categoria)
Ω.cm (1-30) ‘107, ou (0.8-9) ‘10-3, ou 1' 10-2-10-3
Mobilidade cm2/v.s ≥ 5.000, ou 1,500-3,000
Concentração de portador cm-3 (0.3-1.0) x1018, ou (0.4-4.0) x1018,
ou como SEMI
9 TTV μm ≤10
Curva μm ≤10
Urdidura μm ≤10
EPD cm-2 ≤ 8.000 ou ≤ 5.000
Parte dianteira/superfície traseira   P/E, P/P
Perfil da borda   Como SEMI
Contagem de partícula   <50>0,3 μm, contagens/bolachas),
ou COMO SEMI
10 Laser Mark   Verso ou mediante solicitação
11 Empacotamento   Única recipiente ou gaveta da bolacha

 

Detalhe do pacote:

 

 

Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial 0Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial 1

Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial 2

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em Tipo carcaça da polegada N de VGF 6 do semicondutor do GaAs para o crescimento Epitaxial você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
Esperando sua resposta.