Nome da marca:	ZMKJ
Número do modelo:	bolachas de 6inch 4h-n sic
MOQ:	5pcs
preço:	by case
Detalhes da embalagem:	único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Condições de pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram

Informações detalhadas

Descrição do produto

Informações detalhadas

Lugar de origem:

CHINA

Material:

4h-N de cristal sic único

Categoria:

Categoria da produção

Thicnkss:

0.4mm

Suraface:

dobrou

Aplicação:

para o teste polonês

Diâmetro:

6inch

Cor:

Verde

MPD:

<2cm-2>

Habilidade da fonte:

1-50pcs/month

Destacar:

4 bolachas epitaxial de H-N Type

Bolachas epitaxial de 6 polegadas

Bolacha do epi de 4 H-N Type

Descrição do produto

espessura da bolacha 1mm da semente de 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic para o crescimento do lingote

De Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC dos lingotes/das carcaças wafersS/Customzied do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic) do como-corte bolachas da categoria 4H-N 1.5mm SIC do wafersProduction 4inch sic para o cristal de semente

camada sic epitaxial de GaN das bolachas da categoria da produção de H-N Type da bolacha 4 de 6inch SIC sobre sic

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.

1. Descrição

Propriedade	4H-SiC, único cristal	6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência	ABCB	ABCACB
Dureza de Mohs	≈9.2	≈9.2
Densidade	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração	nenhuns = 2,61 ne = 2,66	nenhuns = 2,60 ne = 2,65
Constante dielétrica	c~9.66	c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
Condutibilidade térmica (Semi-isolar)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
Faixa-Gap	eV 3,23	eV 3,02
Campo elétrico da divisão	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação	2.0×105m/s	2.0×105m/s

Sic aplicações

Áreas de aplicação

1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky, JFET, BJT, PiN,
diodos, IGBT, MOSFET
2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)

carcaça de H-N Type Sic da bolacha 4 de 6inch dia150mm SIC para o dispositivo do MOS 0

Especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro de 4H-N 4inch (sic)

6inch N-tipo sic especificações das carcaças
Propriedade	Categoria P-MOS	Categoria de P-SBD	Categoria de D
Crystal Specifications
Crystal Form	4H
Área de Polytype	Nenhuns permitiram		Area≤5%
(MPD) a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Encantar placas	Nenhuns permitiram		Area≤5%
Polycrystal sextavado	Nenhuns permitiram
Inclusões a	Area≤0.05%	Area≤0.05%	N/A
Resistividade	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(TED) a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(TSD) a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
(Falha de empilhamento)	Área de ≤0.5%	Área de ≤1%	N/A
Contaminação de metal de superfície	(Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, si, Ca, V, manganês) cm2 ≤1E11
Especificações mecânicas
Diâmetro	150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientação de superfície	Fora-linha central: 4°toward <11-20>±0.5°
Comprimento liso preliminar	47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Comprimento liso secundário	Nenhum plano secundário
Orientação lisa preliminar	<11-20>±1°
Orientação lisa secundária	N/A
Misorientation ortogonal	±5.0°
Revestimento de superfície	C-cara: Polonês ótico, Si-cara: CMP
Borda da bolacha	Chanfradura
Aspereza de superfície (10μm×10μm)	Cara Ra≤0.20 nanômetro do si; Cara Ra≤0.50 nanômetro de C
Espessura a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10mm) a	≤2μm		≤3μm
(TTV) a	≤6μm		≤10μm
(CURVA) a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Urdidura) a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Especificações de superfície
Microplaquetas/recortes	Nenhuns permitiram a largura e a profundidade de ≥0.5mm		Largura e profundidade de Qty.2 ≤1.0 milímetro
Riscos a (Cara do si, CS8520)	≤5 e diâmetro cumulativo de Length≤0.5×Wafer		≤5 e diâmetro cumulativo da bolacha de Length≤1.5×
TUA (2mm*2mm)	≥98%	≥95%	N/A
Quebras	Nenhuns permitiram
Contaminação	Nenhuns permitiram
Exclusão da borda	3mm

carcaça de H-N Type Sic da bolacha 4 de 6inch dia150mm SIC para o dispositivo do MOS 1

CATÁLOGO TAMANHO COMUM Em NOSSA LISTA do INVENTÁRIO

4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic 2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H 4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H	4H queisola/bolacha pureza alta sic 2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
6H N-tipo sic bolacha 2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H	Tamanho de Customzied para 2-6inch

>Empacotamento – Logistcs

nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.

De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente! Quase por única gavetas da bolacha ou gaveta 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias.

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carcaça da safira

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Bolacha do carboneto de silicone

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Bolacha do nitreto do gálio

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equipamento de laboratório científico

Caixa de relógio do cristal de safira

Caixa do portador da bolacha

Carcaça Monocrystalline fina Superconducting