camada sic epitaxial de GaN das bolachas da categoria da produção de H-N Type da bolacha 4 de 6inch SIC sobre sic

Informação Básica
Lugar de origem: CHINA
Marca: ZMKJ
Número do modelo: bolachas de 6inch 4h-n sic
Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 1-6weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1-50pcs/month
Material: 4h-N de cristal sic único Categoria: Categoria da produção
Thicnkss: 0.4mm Suraface: dobrou
Aplicação: para o teste polonês Diâmetro: 6inch
cor: Verde MPD: <2cm-2>

 

espessura da bolacha 1mm da semente de 4h-n 4inch 6inch dia100mm sic para o crescimento do lingote

De Customzied size/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC dos lingotes/das carcaças wafersS/Customzied do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic) do como-corte bolachas da categoria 4H-N 1.5mm SIC do wafersProduction 4inch sic para o cristal de semente

camada sic epitaxial de GaN das bolachas da categoria da produção de H-N Type da bolacha 4 de 6inch SIC sobre sic

 

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

 

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.

 

1. Descrição
Propriedade 4H-SiC, único cristal 6H-SiC, único cristal
Parâmetros da estrutura a=3.076 Å c=10.053 Å a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilhando a sequência ABCB ABCACB
Dureza de Mohs ≈9.2 ≈9.2
Densidade 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm. Coeficiente da expansão 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Índice @750nm da refração

nenhuns = 2,61
ne = 2,66

nenhuns = 2,60
ne = 2,65

Constante dielétrica c~9.66 c~9.66
Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm)

a~4.2 W/cm·K@298K
c~3.7 W/cm·K@298K

 
Condutibilidade térmica (Semi-isolar)

a~4.9 W/cm·K@298K
c~3.9 W/cm·K@298K

a~4.6 W/cm·K@298K
c~3.2 W/cm·K@298K

Faixa-Gap eV 3,23 eV 3,02
Campo elétrico da divisão 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Velocidade de tração da saturação 2.0×105m/s 2.0×105m/s

Sic aplicações

Áreas de aplicação

  • 1 diodo de alta frequência e do poder superior dos dispositivos eletrónicos de Schottky, JFET, BJT, PiN,
  • diodos, IGBT, MOSFET
  • 2 dispositivos optoelectronic: usado principalmente em GaN/no diodo emissor de luz sic azul do material da carcaça do diodo emissor de luz (GaN/sic)

4 polegadas n-lubrificaram a bolacha do carboneto de silicone 4H sic

Especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro de 4H-N 4inch (sic)

   
especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro 2inch (sic)  
Categoria Categoria zero de MPD Categoria da produção Categoria da pesquisa Categoria do manequim  
 
Diâmetro 100. mm±0.2mm  
 
Espessura 1000±25um ou a outra espessura personalizada 
 
Orientação da bolacha Fora da linha central: 4.0° para <1120> ±0.5° para 4H-N/4H-SI na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI  
 
Densidade de Micropipe cm2 ≤0 cm2 ≤2 ≤5cm-2 cm2 ≤30  
 
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω•cm  
 
     
 
4/6H-SI ≥1E7 Ω·cm  
 
Plano preliminar {10-10} ±5.0° ou forma redonda 
 
Comprimento liso preliminar 18,5 mm±2.0 milímetro ou forma redonda  
 
Comprimento liso secundário 10.0mm±2.0 milímetro  
 
Orientação lisa secundária Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal  
 
Exclusão da borda 1 milímetro  
 
TTV/Bow /Warp ≤10μm/≤10μm/≤15μm  
 
Aspereza Ra≤1 polonês nanômetro  
 
CMP Ra≤0.5 nanômetro  
 
Quebras pela luz da alta intensidade Nenhum 1 reservado, ≤2 milímetro ≤ cumulativo 10mm do comprimento, único length≤2mm  
 
 
Encantar placas pela luz da alta intensidade Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤1% Área cumulativa ≤3%  
 
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade Nenhum Área cumulativa ≤2% Área cumulativa ≤5%  
 
 
Riscos pela luz da alta intensidade 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer  
 
 
microplaqueta da borda Nenhum 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um 5 reservados, ≤1 milímetro cada um  

 

Mostra da exposição da produção

camada sic epitaxial de GaN das bolachas da categoria da produção de H-N Type da bolacha 4 de 6inch SIC sobre sic 1camada sic epitaxial de GaN das bolachas da categoria da produção de H-N Type da bolacha 4 de 6inch SIC sobre sic 2camada sic epitaxial de GaN das bolachas da categoria da produção de H-N Type da bolacha 4 de 6inch SIC sobre sic 3

 
CATÁLOGO   TAMANHO COMUM   Em NOSSA LISTA do INVENTÁRIO
  
 

 

4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic
2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H
4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H

4H queisola/bolacha pureza alta sic

2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
 
 
6H N-tipo sic bolacha
2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H
 
 Tamanho de Customzied para 2-6inch
 
 

>Empacotamento – Logistcs

nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque.

De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente! Quase por única gavetas da bolacha ou gaveta 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias.

 

Contacto
Manager

Número de telefone : +8615801942596

Whatsapp : +8615801942596