O tipo si de 4 polegadas N da carcaça do semicondutor de 15° lubrificou a bolacha SSP do GaAs

Informação Básica
Lugar de origem: China
Marca: zmkj
Número do modelo: GaAs-N-3inch
Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Preço: 100-200usd/pcs
Detalhes da embalagem: no caso da bolacha único ou da gaveta 25pcs pelo pacote do vácuo
Tempo de entrega: 2-4weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Habilidade da fonte: 2000pcs pelo mês
Material: Cristal do GaAs Método: VGF
tamanho: dia76.2mm thickess: 350um
Superfície: DSP Aplicação: conduzido, dispositivo do ld
tipo: N-tipo lubrificação: Si-lubrificado
Realçar:

O si lubrificou GaAs Wafe

,

Carcaça GaAs Wafe do semicondutor

,

Tipo bolacha de N do ssp

 
 
N-tipo 2inch/3inch do metod de VFG, 4inch, N-tipo das bolachas do arsenieto de gálio de 6inch dia150mm GaAs
tipo deisolamento para a microeletrônica,
 
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Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs)
O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto do bandgap de III-V
com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.
O arsenieto de gálio é usado na fabricação de dispositivos tais como circuitos integrados da frequência de micro-ondas, monolítica
circuitos integrados da micro-ondas, diodos luminescentes infravermelhos, diodos láser, células solares e janelas óticas. [2]
 
O GaAs é usado frequentemente como um material da carcaça para o crescimento epitaxial de outros semicondutores de III-V que incluem o arsenieto de gálio do índio,
arsenieto e outro de gálio de alumínio.
 
.
Característica e aplicação da bolacha do GaAs

CaracterísticaCampo da aplicação
Mobilidade de elétron altaDiodos luminescentes
Alta frequênciaDiodos láser
Eficiência de conversão altaDispositivos fotovoltaicos
Consumo da baixa potênciaTransistor de mobilidade de elétron alto
Diferença de faixa diretaTransistor bipolar da heterojunção

O tipo si de 4 polegadas N da carcaça do semicondutor de 15° lubrificou a bolacha SSP do GaAs 0
Especificação
GaAs Undoped
Especificações deisolamento do GaAs
 

Método do crescimentoVGF
EntorpecenteCarbono
Bolacha Shape*Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", e 6")
Orientação de superfície **(100) ±0.5°

” Bolachas *5 disponíveis mediante solicitação
** Outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação
 

Resistividade (Ω.cm)≥1 × 107≥1 × 108
Mobilidade (cm2/V.S)≥ 5.000≥ 4.000
Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)1,500-5,0001,500-5,000

 

Diâmetro da bolacha (milímetros)50.8±0.376.2±0.3100±0.3150±0.3
Espessura (µm)350±25625±25625±25675±25
TTV [P/P] (µm)≤ 4≤ 4≤ 4≤ 4
TTV [P/E] (µm)≤ 10≤ 10≤ 10≤ 10
URDIDURA (µm)≤10≤10≤10≤5
DE (milímetros)17±122±132.5±1ENTALHE
DE/SE (milímetros)7±112±118±1N/A
Polish*E/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/PE/E, P/E, P/P

*E=Etched, P=Polished
O tipo si de 4 polegadas N da carcaça do semicondutor de 15° lubrificou a bolacha SSP do GaAs 1

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Pacote & entrega
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FAQ & CONTATO
   Este é Eric wang, gerente de vendas do zmkj, nossa empresa situada em Shanghai, China. Nosso tempo de serviço é toda a hora de segunda-feira - sábado. Nós somos pesarosos para a inconveniência causada pela diferença de tempo. Se alguma pergunta, você pode deixar a meu e-mail uma mensagem e igualmente adicionar meu WeChat, o que é app, Skype, mim será em linha. Boa vinda para contactar-me!
 
Q: São você empresa comercial ou o fabricante? : Nós temos nossos próprios para a fabricação da bolacha.
 Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega? : Geralmente é 1-5 dias se os bens estão no estoque, se não, é para 2-3weeks
Q: Você fornece amostras? são livre ou extra? : Sim, nós poderíamos oferecer a amostra grátis por algum tamanho.
Q: Que é seus termos de pagamento? : para o primeiro negócio são 100% antes da entrega.
 
 
 
 

 

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