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O si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio do dispositivo do laser
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | zmkj |
| Número do modelo: | GaN-FS-SIN-D-C50-SSP 2inch |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1PCS |
|---|---|
| Preço: | 1000~2500usd/pc |
| Detalhes da embalagem: | única caixa da bolacha pelo pacote do vácuo |
| Tempo de entrega: | 1-5weeks |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union |
| Habilidade da fonte: | 50pcs pelo mês |
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Informação detalhada |
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| Material: | Único cristal de GaN | tamanho: | 2inch |
|---|---|---|---|
| espessura: | 0.35mm | tipo: | N-tipo/undoped, lubrificado, |
| Aplicação: | Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder | Crescimento: | HVPE |
| Realçar: | bolacha do nitreto do gálio do dispositivo do laser,Bolacha Undoped do nitreto do gálio,Bolacha Undoped de Gan |
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Descrição de produto
molde das carcaças de 2inch GaN, bolacha para LeD, bolacha semiconducting para o ld, molde de GaN do nitreto do gálio de GaN, mocvd GaN Wafer, GaN Substrates autônomo pelo tamanho personalizado, bolacha pequena para o diodo emissor de luz, bolacha 10x10mm de GaN do tamanho do nitreto do gálio do mocvd, 5x5mm, bolacha de 10x5mm GaN, GaN Substrates autônomo Não-polar (um-plano e m-plano)
GaN Wafer Characteristic
- Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)
O nitreto do gálio é um tipo de semicondutores compostos de largo-Gap. A carcaça do nitreto do gálio (GaN) é
uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, que foi desenvolvida originalmente para 10+years em China. As características são uniformidade cristalina, boa alta, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN são usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde) além disso, desenvolvimento progrediu para o poder e aplicações de alta frequência do dispositivo eletrónico.
A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e o infravermelho ultravioletas, visíveis.
Aplicações
GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.
- Dispositivos de alta frequência detecção alta-tensão da micro-ondas e para imaginar
- Detecção nova do ambiente da tecnologia do hidrogênio do solor da energia e medicina biológica
- Faixa do terahertz da fonte luminosa
- Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc. Armazenamento da data
- iluminação Energia-eficiente Exposição do fla da cor completa
- Laser Projecttions Dispositivos eletrónicos de grande eficacia
2 polegadas GaN Substrates Specification autônomo
Nossa visão da empresa de Factroy
nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria nossa fábrica.
GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida
e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto
e eficiência elevada, diodo emissor de luz de poupança de energia.
- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg
Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 4 semanas de trabalho após a ordem.
Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio.
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 1pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.
Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de ROHS e alcançar relatórios para nossos produtos.
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