O si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio do dispositivo do laser

Informação Básica
Lugar de origem: China
Marca: zmkj
Número do modelo: GaN-FS-SIN-D-C50-SSP 2inch
Quantidade de ordem mínima: 1PCS
Preço: 1000~2500usd/pc
Detalhes da embalagem: única caixa da bolacha pelo pacote do vácuo
Tempo de entrega: 1-5weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union
Habilidade da fonte: 50pcs pelo mês
Material: Único cristal de GaN tamanho: 2inch
espessura: 0.35mm tipo: N-tipo/undoped, lubrificado,
Aplicação: Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder Crescimento: HVPE
Realçar:

bolacha do nitreto do gálio do dispositivo do laser

,

Bolacha Undoped do nitreto do gálio

,

Bolacha Undoped de Gan

 

 

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GaN Wafer Characteristic

  1. Iii-nitreto (GaN, AlN, pensão)

O nitreto do gálio é um tipo de semicondutores compostos de largo-Gap. A carcaça do nitreto do gálio (GaN) é

uma carcaça de alta qualidade do único-cristal. É feita com método de HVPE e tecnologia de processamento originais da bolacha, que foi desenvolvida originalmente para 10+years em China. As características são uniformidade cristalina, boa alta, e qualidade de superfície superior. As carcaças de GaN são usadas para muitos tipos dos pedidos, para o diodo emissor de luz branco e o LD (violeta, azul e verde) além disso, desenvolvimento progrediu para o poder e aplicações de alta frequência do dispositivo eletrónico.

 

A largura de banda proibida (luminescente e absorção) cobre a luz e o infravermelho ultravioletas, visíveis.

 

Aplicações

GaN pode ser usado em muitas áreas tais como a exposição de diodo emissor de luz, a detecção alta-tensão e a imagem latente,
Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.

 

  • Dispositivos de alta frequência detecção alta-tensão da micro-ondas e para imaginar
  • Detecção nova do ambiente da tecnologia do hidrogênio do solor da energia e medicina biológica
  • Faixa do terahertz da fonte luminosa
  • Exposição da projeção do laser, dispositivo de poder, etc.       Armazenamento da data
  • iluminação Energia-eficiente                                        Exposição do fla da cor completa
  • Laser Projecttions                                                 Dispositivos eletrónicos de grande eficacia

O si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio do dispositivo do laser 0

2 polegadas GaN Substrates Specification autônomo

O si lubrificou a bolacha Undoped do nitreto do gálio do dispositivo do laser 1

Nossa visão da empresa de Factroy
nós forneceremos a carcaça de alta qualidade de GaN e a tecnologia da aplicação para a indústria nossa fábrica.
GaNmaterial de alta qualidade é o fator de restrição para a aplicação dos Iii-nitretos, por exemplo longa vida
e estabilidade alta LDs, poder superior e dispositivos altos da micro-ondas da confiança, brilho alto
e eficiência elevada, diodo emissor de luz de poupança de energia.

- FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a bolacha de 2inch 0.33mm.
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 4 semanas de trabalho após a ordem.

Q: Como pagar?
100%T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio.

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 1pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-10pcs.
Depende da quantidade e das técnicas.

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de ROHS e alcançar relatórios para nossos produtos.

 

Pacote

 
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