Diâmetro 50.8mm dos dispositivos de BAW bolacha do nitreto de alumínio de um AlN de 1 polegada

Informação Básica
Lugar de origem: China
Marca: ZMKJ
Número do modelo: Único cristal de UTI-AlN-1inch
Quantidade de ordem mínima: 1PCS
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
Tempo de entrega: em 30days
Termos de pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 10PCS/Month
material: Cristal de AlN espessura: 400um
Orientação: 0001 aplicação: poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência
aplicação 2: dispositivos de 5G saw/BAW Ra: 0.5nm
superfície lustrada: Cmp da cara do Al, PM da N-cara tipo de cristal: 2H
Realçar:

Bolacha do nitreto de alumínio de AlN

,

bolacha do nitreto de alumínio de 50.8mm

,

Bolacha de AlN dos dispositivos de BAW

carcaça de dia50.8mm 2inch 1inch AlN/bolachas de cristal de AlN únicas

10x10mm ou diâmetro 10mm dia25.4mm dia30mm, dia45mm, bolachas de cristal de AlN da carcaça de dia50.8mm AlN únicas

 

Aplicações de   Molde de AlN
 
nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias proprietários para fabricar
moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada AlN
moldes na capacidade em grande escala da produção industrial com capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo
procura do mercado de uma comunicação UVC-LED, 5G sem fio, dos detectores UV e dos sensores etc.
 
Nós fornecemos atualmente clientes o nitrogênio de alta qualidade estandardizado de 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25.4mm/Φ30mm/Φ50.8mm
De alumínio escolha os produtos de cristal da carcaça, e possa igualmente fornecer clientes o 10-20mm não-polar
carcaça de cristal do nitreto de alumínio do M-plano única, ou para personalizar 5mm-50.8mm não padronizados aos clientes
Única carcaça de cristal lustrada do nitreto de alumínio. Este produto é amplamente utilizado como um material da carcaça da parte alta
Usado em microplaquetas de UVC-LED, em detectores UV, em lasers UV, e no vário poder superior
temperatura de /High/campo de alta frequência do dispositivo eletrónico.
 
 
Especificação característica
  • Modelo                                                           Cristal de UTI-AlN-10x10B-single
  • Diâmetro                                                           10x10±0.5mm; ou dia10mm, dia25.4mm, ou dia30mm, ou dia45mm;
  •  
  • Espessura da carcaça (µm)                                      400 ± 50
  • Orientação                                                        C-linha central [0001] +/- 0.5°

     Categoria de qualidade              S-categoria (super)    P-categoria (produção)       R-categoria (pesquisa)

 
  • Quebras                                                  Nenhum                      Nenhum <3mm>
  •                                  
  • FWHM-2θXRD@ (0002)<150><300>                  0
  • FWHM-HRXRD@ (10-12)<100><200>                 0
  • Aspereza de superfície [5×5µm] (nanômetro)          CMP da Al-cara<0>
  •  
  • Área útil                                       90%
  • A absorvência<50>
  •                              
  • primeiro da orientação do comprimento                                         {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)                                                                       ≤30
  • Curva (µm)                                                                        ≤30
  • Urdidura (µm)                                                                    -30~30
  • Nota: Estes resultados da caracterização podem variar levemente segundo os equipamentos e/ou o software empregados
Diâmetro 50.8mm dos dispositivos de BAW bolacha do nitreto de alumínio de um AlN de 1 polegada 0

Diâmetro 50.8mm dos dispositivos de BAW bolacha do nitreto de alumínio de um AlN de 1 polegada 1

Diâmetro 50.8mm dos dispositivos de BAW bolacha do nitreto de alumínio de um AlN de 1 polegada 2

 

Diâmetro 50.8mm dos dispositivos de BAW bolacha do nitreto de alumínio de um AlN de 1 polegada 3

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elemento da impureza    Fe do Na W.P.S Si do si B de C O
PPMW                        27 90 5,4 0,92 0,23 <0>
 
 
Estrutura de cristal

Wurtzite

Constante da estrutura (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução Bandgap direto
Densidade (g/cm3) 3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop) 800
Ponto de derretimento (℃) 2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K) 320
Energia da diferença de faixa (eV) 6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2) 1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm) 11,7

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