6" silicone basearam o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone

Informação Básica
Lugar de origem: China
Marca: ZMKJ
Número do modelo: UTI-AlN-150
Quantidade de ordem mínima: 3pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
Tempo de entrega: em 30days
Termos de pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 50PCS/Month
carcaça: bolacha de silicone camada: Molde de AlN
espessura da camada: 200-1000nm tipo da condutibilidade: N/P
Orientação: 0001 aplicação: poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência
aplicação 2: dispositivos de 5G saw/BAW espessura do silicone: 525um/625um/725um
Realçar:

Filme de AlN na carcaça de silicone

,

moldes de 500nm AlN

,

6" moldes de AlN

diâmetro 150mm   8inch 4inch 6inch Silicone-baseou o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone

 

Aplicações de   Molde de AlN
a tecnologia de semicondutor Silicone-baseada alcançou seus limites e não podia satisfazer as exigências do futuro
dispositivos eletrónicos. Como um tipo típico do material do semicondutor 3rd/4th-generation, o nitreto de alumínio (AlN) tem
as propriedades físicas e químicas superiores tais como o bandgap largo, condutibilidade térmica alta, divisão alta arquivaram,
a resistência eletrônica alta da mobilidade e da corrosão/radiação, e é uma carcaça perfeita para dispositivos optoelectronic,
dispositivos eletrónicos dos dispositivos da radiofrequência (RF), os de alta potência/os de alta frequência, etc… particularmente, carcaça de AlN são
o melhor candidato para UV-LED, detectores UV, lasers UV, dispositivos RF de alta potência/de alta frequência de 5G e 5G SAW/BAW
dispositivos, que poderiam extensamente ser usados na proteção ambiental, eletrônica, comunicações sem fio, impressão,
campos da biologia, dos cuidados médicos, os militares e o outro, tais como a purificação/esterilização UV, cura UV, photocatalysis, coun?
detecção do terfeit, armazenamento do alto densidade, uma comunicação médica phototherapy, da droga da descoberta, a sem fio e a segura,
detecção aeroespacial/espaço e outros campos.
nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias proprietários para fabricar
moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada AlN
moldes na capacidade em grande escala da produção industrial com capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo
procura do mercado de uma comunicação UVC-LED, 5G sem fio, dos detectores UV e dos sensores etc.
 
O factroy é uma empresa inovativa da alto-tecnologia fundada em 2016 por profissionais ultramarinos chineses ilustres do semicon? indústria do ductor.
centram-se seu negócio principal sobre o desenvolvimento e a comercialização de 3rd/4th-genera? carcaças ultra-largas de AlN do semicondutor do bandgap do tion,
Moldes de AlN, reatores totalmente automático do crescimento de PVT e produtos e serviço relacionados para várias indústrias da alto-tecnologia.
reconheceu-se como um líder global neste campo. Nossos produtos do núcleo são materiais chaves da estratégia alistados no “feito em China”.
  desenvolveram séries de tecnologias proprietárias e -estado-- dos reatores e das facilidades do crescimento da arte PVT a
fabrique tamanhos diferentes das bolachas monocristalinas de alta qualidade de AlN, temlpates de AlN. Nós somos um do poucos mundo-principais
empresas da alto-tecnologia que próprio capa completo da fabricação de AlN?
bilities para produzir os boules e as bolachas de alta qualidade de AlN, e para fornecer profes? serviços do sional e soluções da volta-chave a nossos clientes,
arranjado do projeto do reator e do hotzone do crescimento, da modelagem e da simulação, do projeto de processo e da otimização, crescimento de cristal,
characteriza wafering e material? tion. Até abril de 2019, aplicaram mais de 27 patentes (que incluem o PCT).
 
             Especificação
 
Especificação característica
  • Modelo                                           UTI-AlN-150S
  • Tipo da condutibilidade                       C-plano da única bolacha de cristal do si
  • Resistividade (Ω)                                      >5000
  • Estrutura de AlN                                     Wurtzite
  • Diâmetro (polegada)                                   6inch
  •  
  • Espessura da carcaça (µm)                     625 ± 15
  • Espessura de filme de AlN (µm)                      500nm
  •  
  • Orientação                                          C-linha central [0001] +/- 0.2°
  • Área útil                                          ≥95%
  • Quebras                                                  Nenhum
  • FWHM-2θXRD@ (0002)                     ≤0.22°
  • FWHM-HRXRD@ (0002)                    ≤1.5°
  • Aspereza de superfície [5×5µm] (nanômetro)       RMS≤6.0
  • TTV (µm)                                             ≤7
  • Curva (µm)                                             ≤40
  • Urdidura (µm)                                          -30~30
  • Nota: Estes resultados da caracterização podem variar levemente segundo os equipamentos e/ou o software empregados
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6" silicone basearam o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone 26" silicone basearam o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone 3

Estrutura de cristal

Wurtzite

Constante da estrutura (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução Bandgap direto
Densidade (g/cm3) 3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop) 800
Ponto de derretimento (℃) 2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K) 320
Energia da diferença de faixa (eV) 6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2) 1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm) 11,7

6" silicone basearam o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone 4

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