6" silicone basearam o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone
Detalhes do produto:
Lugar de origem: | China |
Marca: | ZMKJ |
Número do modelo: | UTI-AlN-150 |
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: | 3pcs |
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Preço: | by case |
Detalhes da embalagem: | único recipiente da bolacha no quarto desinfetado |
Tempo de entrega: | em 30days |
Termos de pagamento: | T/T, Western Union, Paypal |
Habilidade da fonte: | 50PCS/Month |
Informação detalhada |
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carcaça: | bolacha de silicone | camada: | Molde de AlN |
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espessura da camada: | 200-1000nm | tipo da condutibilidade: | N/P |
Orientação: | 0001 | aplicação: | poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência |
aplicação 2: | dispositivos de 5G saw/BAW | espessura do silicone: | 525um/625um/725um |
Realçar: | Filme de AlN na carcaça de silicone,moldes de 500nm AlN,6" moldes de AlN |
Descrição de produto
diâmetro 150mm 8inch 4inch 6inch Silicone-baseou o filme dos moldes 500nm AlN de AlN na carcaça de silicone
Aplicações de Molde de AlN
a tecnologia de semicondutor Silicone-baseada alcançou seus limites e não podia satisfazer as exigências do futuro
dispositivos eletrónicos. Como um tipo típico do material do semicondutor 3rd/4th-generation, o nitreto de alumínio (AlN) tem
as propriedades físicas e químicas superiores tais como o bandgap largo, condutibilidade térmica alta, divisão alta arquivaram,
a resistência eletrônica alta da mobilidade e da corrosão/radiação, e é uma carcaça perfeita para dispositivos optoelectronic,
dispositivos eletrónicos dos dispositivos da radiofrequência (RF), os de alta potência/os de alta frequência, etc… particularmente, carcaça de AlN são
o melhor candidato para UV-LED, detectores UV, lasers UV, dispositivos RF de alta potência/de alta frequência de 5G e 5G SAW/BAW
dispositivos, que poderiam extensamente ser usados na proteção ambiental, eletrônica, comunicações sem fio, impressão,
campos da biologia, dos cuidados médicos, os militares e o outro, tais como a purificação/esterilização UV, cura UV, photocatalysis, coun?
detecção do terfeit, armazenamento do alto densidade, uma comunicação médica phototherapy, da droga da descoberta, a sem fio e a segura,
detecção aeroespacial/espaço e outros campos.
nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias proprietários para fabricar
moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada AlN
moldes na capacidade em grande escala da produção industrial com capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo
procura do mercado de uma comunicação UVC-LED, 5G sem fio, dos detectores UV e dos sensores etc.
O factroy é uma empresa inovativa da alto-tecnologia fundada em 2016 por profissionais ultramarinos chineses ilustres do semicon? indústria do ductor.
centram-se seu negócio principal sobre o desenvolvimento e a comercialização de 3rd/4th-genera? carcaças ultra-largas de AlN do semicondutor do bandgap do tion,
Moldes de AlN, reatores totalmente automático do crescimento de PVT e produtos e serviço relacionados para várias indústrias da alto-tecnologia.
reconheceu-se como um líder global neste campo. Nossos produtos do núcleo são materiais chaves da estratégia alistados no “feito em China”.
desenvolveram séries de tecnologias proprietárias e -estado-- dos reatores e das facilidades do crescimento da arte PVT a
fabrique tamanhos diferentes das bolachas monocristalinas de alta qualidade de AlN, temlpates de AlN. Nós somos um do poucos mundo-principais
empresas da alto-tecnologia que próprio capa completo da fabricação de AlN?
bilities para produzir os boules e as bolachas de alta qualidade de AlN, e para fornecer profes? serviços do sional e soluções da volta-chave a nossos clientes,
arranjado do projeto do reator e do hotzone do crescimento, da modelagem e da simulação, do projeto de processo e da otimização, crescimento de cristal,
characteriza wafering e material? tion. Até abril de 2019, aplicaram mais de 27 patentes (que incluem o PCT).
Especificação
Especificação característica
- Modelo UTI-AlN-150S
- Tipo da condutibilidade C-plano da única bolacha de cristal do si
- Resistividade (Ω) >5000
- Estrutura de AlN Wurtzite
- Diâmetro (polegada) 6inch
- Espessura da carcaça (µm) 625 ± 15
- Espessura de filme de AlN (µm) 500nm
- Orientação C-linha central [0001] +/- 0.2°
- Área útil ≥95%
- Quebras Nenhum
- FWHM-2θXRD@ (0002) ≤0.22°
- FWHM-HRXRD@ (0002) ≤1.5°
- Aspereza de superfície [5×5µm] (nanômetro) RMS≤6.0
- TTV (µm) ≤7
- Curva (µm) ≤40
- Urdidura (µm) -30~30
- Nota: Estes resultados da caracterização podem variar levemente segundo os equipamentos e/ou o software empregados
Estrutura de cristal |
Wurtzite |
Constante da estrutura (Å) | a=3.112, c=4.982 |
Tipo da faixa de condução | Bandgap direto |
Densidade (g/cm3) | 3,23 |
Microhardness de superfície (teste de Knoop) | 800 |
Ponto de derretimento (℃) | 2750 (barra 10-100 no N2) |
Condutibilidade térmica (W/m·K) | 320 |
Energia da diferença de faixa (eV) | 6,28 |
Mobilidade de elétron (V·s/cm2) | 1100 |
Campo elétrico da divisão (MV/cm) | 11,7 |
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