4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate

Informação Básica
Lugar de origem: China
Marca: ZMKJ
Número do modelo: GaN-safira 4inch
Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
Tempo de entrega: em 30days
Termos de pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 50PCS/Month
carcaça: bolacha da safira camada: Molde de GaN
espessura da camada: 1-5um tipo da condutibilidade: N/P
Orientação: 0001 aplicação: poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência
aplicação 2: dispositivos de 5G saw/BAW espessura do silicone: 525um/625um/725um
Realçar:

5G viu moldes gan

,

4" moldes gan

,

Carcaça do semicondutor de GaN

2inch 4inch 4" safira baseou o filme de GaN dos moldes de GaN na carcaça da safira

 

Propriedades de GaN

 

Propriedades químicas de GaN

1) Na temperatura ambiente, GaN é insolúvel na água, no ácido e no alcaloide.

2)Dissolvido em uma solução alcalina quente em uma taxa muito lenta.

3) O NaOH, H2SO4 e H3PO4 podem rapidamente corroer o de má qualidade de GaN, podem ser usados para estes detecção de má qualidade do defeito de cristal de GaN.

4) GaN no HCL ou no hidrogênio, na alta temperatura apresenta características instáveis.

5) GaN é o mais estável sob o nitrogênio.

Propriedades elétricas de GaN

1) As propriedades elétricas de GaN são a maioria de fatoras importantes que afetam o dispositivo.

2) O GaN sem a lubrificação era n em todos os casos, e a concentração do elétron da melhor amostra era sobre 4* (10^16) /c㎡.

3) Geralmente, as amostras preparadas de P são compensadas altamente.

Propriedades óticas de GaN

1) O material largo do semicondutor composto de diferença de faixa com largura de banda alta (2.3~6.2eV), pode cobrir o verde amarelo vermelho, azul, violeta e o espectro ultravioleta, é até agora que todos os outros materiais do semicondutor são incapazes de conseguir.

2) Usado principalmente no dispositivo luminescente azul e violeta.

Propriedades de GaN Material

1) A propriedade de alta frequência, chega em 300G hertz. (O si é 10G & o GaAs é 80G)

2) Propriedade de alta temperatura, trabalho em 300℃, muito apropriado normais para ambiente aeroespacial, militar e outro de alta temperatura.

3) A tração do elétron tem a velocidade alta da saturação, a baixa constante dielétrica e a boa condutibilidade térmica.

4) A resistência do ácido e do alcaloide, resistência de corrosão, pode ser usada no ambiente áspero.

5) Características de alta tensão, resistência de impacto, confiança alta.

6) O grande poder, o equipamento de comunicação está muito ansioso.

 
Aplicação de GaN

Uso principal de GaN:

1) diodos luminescentes, diodo emissor de luz

2) transistor de efeito de campo, FET

3) diodos láser, LD

 
             Especificação
 
 
Especificação4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 0aracteristic de C

 

A outra especificação do relaterd 4INCH GaN Template

 

 

     
  Carcaças do ₃ do ₂ O do Al de GaN/(4") 4inch
Artigo Un-lubrificado N-tipo

Alto-lubrificado

N-tipo

Tamanho (milímetros) Φ100.0±0.5 (4")
Estrutura da carcaça GaN na safira (0001)
SurfaceFinished (Padrão: Opção de SSP: DSP)
Espessura (μm) 4.5±0.5; 20±2; Personalizado
Tipo da condução Un-lubrificado N-tipo N-tipo Alto-lubrificado
Resistividade (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 
≤±10% (4")
Densidade de deslocação (cm2)
 
≤5×108
Área de superfície útil >90%
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100.
 

4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 1

4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 24" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 3

Estrutura de cristal

Wurtzite

Constante da estrutura (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução Bandgap direto
Densidade (g/cm3) 3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop) 800
Ponto de derretimento (℃) 2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K) 320
Energia da diferença de faixa (eV) 6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2) 1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm) 11,7

4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate 4

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