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4" Sapphire Based GaN Templates Semiconductor Substrate
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMKJ |
| Número do modelo: | GaN-safira 4inch |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único recipiente da bolacha no quarto desinfetado |
| Tempo de entrega: | em 30days |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, Paypal |
| Habilidade da fonte: | 50PCS/Month |
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Informação detalhada |
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| carcaça: | bolacha da safira | camada: | Molde de GaN |
|---|---|---|---|
| espessura da camada: | 1-5um | tipo da condutibilidade: | N/P |
| Orientação: | 0001 | aplicação: | poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência |
| aplicação 2: | dispositivos de 5G saw/BAW | espessura do silicone: | 525um/625um/725um |
| Realçar: | 5G viu moldes gan,4" moldes gan,Carcaça do semicondutor de GaN |
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Descrição de produto
2inch 4inch 4" safira baseou o filme de GaN dos moldes de GaN na carcaça da safira
Propriedades químicas de GaN
1) Na temperatura ambiente, GaN é insolúvel na água, no ácido e no alcaloide.
2)Dissolvido em uma solução alcalina quente em uma taxa muito lenta.
3) O NaOH, H2SO4 e H3PO4 podem rapidamente corroer o de má qualidade de GaN, podem ser usados para estes detecção de má qualidade do defeito de cristal de GaN.
4) GaN no HCL ou no hidrogênio, na alta temperatura apresenta características instáveis.
5) GaN é o mais estável sob o nitrogênio.
Propriedades elétricas de GaN
1) As propriedades elétricas de GaN são a maioria de fatoras importantes que afetam o dispositivo.
2) O GaN sem a lubrificação era n em todos os casos, e a concentração do elétron da melhor amostra era sobre 4* (10^16) /c㎡.
3) Geralmente, as amostras preparadas de P são compensadas altamente.
Propriedades óticas de GaN
1) O material largo do semicondutor composto de diferença de faixa com largura de banda alta (2.3~6.2eV), pode cobrir o verde amarelo vermelho, azul, violeta e o espectro ultravioleta, é até agora que todos os outros materiais do semicondutor são incapazes de conseguir.
2) Usado principalmente no dispositivo luminescente azul e violeta.
Propriedades de GaN Material
1) A propriedade de alta frequência, chega em 300G hertz. (O si é 10G & o GaAs é 80G)
2) Propriedade de alta temperatura, trabalho em 300℃, muito apropriado normais para ambiente aeroespacial, militar e outro de alta temperatura.
3) A tração do elétron tem a velocidade alta da saturação, a baixa constante dielétrica e a boa condutibilidade térmica.
4) A resistência do ácido e do alcaloide, resistência de corrosão, pode ser usada no ambiente áspero.
5) Características de alta tensão, resistência de impacto, confiança alta.
6) O grande poder, o equipamento de comunicação está muito ansioso.
Uso principal de GaN:
1) diodos luminescentes, diodo emissor de luz
2) transistor de efeito de campo, FET
3) diodos láser, LD
aracteristic de C
A outra especificação do relaterd 4INCH GaN Template
| Carcaças do ₃ do ₂ O do Al de GaN/(4") 4inch | |||
| Artigo | Un-lubrificado | N-tipo |
Alto-lubrificado N-tipo |
| Tamanho (milímetros) | Φ100.0±0.5 (4") | ||
| Estrutura da carcaça | GaN na safira (0001) | ||
| SurfaceFinished | (Padrão: Opção de SSP: DSP) | ||
| Espessura (μm) | 4.5±0.5; 20±2; Personalizado | ||
| Tipo da condução | Un-lubrificado | N-tipo | N-tipo Alto-lubrificado |
| Resistividade (Ω·cm) (300K) | ≤0.5 | ≤0.05 | ≤0.01 |
| GaN Thickness Uniformity |
≤±10% (4") | ||
| Densidade de deslocação (cm2) |
≤5×108 | ||
| Área de superfície útil | >90% | ||
| Pacote | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100. | ||
| Estrutura de cristal |
Wurtzite |
| Constante da estrutura (Å) | a=3.112, c=4.982 |
| Tipo da faixa de condução | Bandgap direto |
| Densidade (g/cm3) | 3,23 |
| Microhardness de superfície (teste de Knoop) | 800 |
| Ponto de derretimento (℃) | 2750 (barra 10-100 no N2) |
| Condutibilidade térmica (W/m·K) | 320 |
| Energia da diferença de faixa (eV) | 6,28 |
| Mobilidade de elétron (V·s/cm2) | 1100 |
| Campo elétrico da divisão (MV/cm) | 11,7 |