Bolacha de 6 moldes de Sapphire Based AlN da polegada para dispositivos de 5G BAW

Informação Básica
Lugar de origem: China
Marca: ZMKJ
Número do modelo: AlN-safira 2inch
Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único recipiente da bolacha no quarto desinfetado
Tempo de entrega: em 30days
Termos de pagamento: T/T, Western Union, Paypal
Habilidade da fonte: 50PCS/Month
carcaça: bolacha da safira camada: Molde de AlN
espessura da camada: 1-5um tipo da condutibilidade: N/P
Orientação: 0001 aplicação: poder superior/dispositivos eletrónicos de alta frequência
aplicação 2: dispositivos de 5G saw/BAW espessura do silicone: 525um/625um/725um
Realçar:

A safira baseou moldes de AlN

,

Bolacha da safira de 6 polegadas

,

Moldes de um AlN de 6 polegadas

a safira de 2inch 4iinch 6Inch baseou o filme de AlN dos moldes de AlN na carcaça da safira

 

Aplicações de   Molde de AlN
a tecnologia de semicondutor Silicone-baseada alcançou seus limites e não podia satisfazer as exigências do futuro
dispositivos eletrónicos. Como um tipo típico do material do semicondutor 3rd/4th-generation, o nitreto de alumínio (AlN) tem
as propriedades físicas e químicas superiores tais como o bandgap largo, condutibilidade térmica alta, divisão alta arquivaram,
a resistência eletrônica alta da mobilidade e da corrosão/radiação, e é uma carcaça perfeita para dispositivos optoelectronic,
dispositivos eletrónicos dos dispositivos da radiofrequência (RF), os de alta potência/os de alta frequência, etc… particularmente, carcaça de AlN são
o melhor candidato para UV-LED, detectores UV, lasers UV, dispositivos RF de alta potência/de alta frequência de 5G e 5G SAW/BAW
dispositivos, que poderiam extensamente ser usados na proteção ambiental, eletrônica, comunicações sem fio, impressão,
campos da biologia, dos cuidados médicos, os militares e o outro, tais como a purificação/esterilização UV, cura UV, photocatalysis, coun?
detecção do terfeit, armazenamento do alto densidade, uma comunicação médica phototherapy, da droga da descoberta, a sem fio e a segura,
detecção aeroespacial/espaço e outros campos.
nós desenvolvemos séries de processos e de tecnologias proprietários para fabricar
moldes de alta qualidade de AlN. Presentemente, nosso OEM é a única empresa no mundo inteiro quem pode produzir 2-6 a polegada AlN
moldes na capacidade em grande escala da produção industrial com capacidade de 300.000 partes em 2020 encontrar explosivo
procura do mercado de uma comunicação UVC-LED, 5G sem fio, dos detectores UV e dos sensores etc.
 
  Nosso OEM desenvolveu séries de tecnologias proprietárias e -estado-- dos reatores e das facilidades do crescimento da arte PVT a
fabrique tamanhos diferentes das bolachas monocristalinas de alta qualidade de AlN, temlpates de AlN. Nós somos um do poucos mundo-principais
empresas da alto-tecnologia que próprio capa completo da fabricação de AlN? bilities para produzir os boules e as bolachas de alta qualidade de AlN, e a fornecê-los
profes? serviços do sional e soluções da volta-chave nossos clientes, arranjados do projeto do reator e do hotzone do crescimento,
modelagem e simulação, projeto de processo e otimização, crescimento de cristal,
characteriza wafering e material? tion. Até abril de 2019, aplicaram mais de 27 patentes (que incluem o PCT).
 
             Especificação
 
EspecificaçãoBolacha de 6 moldes de Sapphire Based AlN da polegada para dispositivos de 5G BAW 0aracteristic do Ch

 

A outra especificação do relaterd 4INCH GaN Template

 

 

     
  Carcaças do ₃ do ₂ O do Al de GaN/(4") 4inch
Artigo Un-lubrificado N-tipo

Alto-lubrificado

N-tipo

Tamanho (milímetros) Φ100.0±0.5 (4")
Estrutura da carcaça GaN na safira (0001)
SurfaceFinished (Padrão: Opção de SSP: DSP)
Espessura (μm) 4.5±0.5; 20±2; Personalizado
Tipo da condução Un-lubrificado N-tipo N-tipo Alto-lubrificado
Resistividade (Ω·cm) (300K) ≤0.5 ≤0.05 ≤0.01
GaN Thickness Uniformity
 
≤±10% (4")
Densidade de deslocação (cm2)
 
≤5×108
Área de superfície útil >90%
Pacote Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100.
 

Bolacha de 6 moldes de Sapphire Based AlN da polegada para dispositivos de 5G BAW 1

Bolacha de 6 moldes de Sapphire Based AlN da polegada para dispositivos de 5G BAW 2Bolacha de 6 moldes de Sapphire Based AlN da polegada para dispositivos de 5G BAW 3

Estrutura de cristal

Wurtzite

Constante da estrutura (Å) a=3.112, c=4.982
Tipo da faixa de condução Bandgap direto
Densidade (g/cm3) 3,23
Microhardness de superfície (teste de Knoop) 800
Ponto de derretimento (℃) 2750 (barra 10-100 no N2)
Condutibilidade térmica (W/m·K) 320
Energia da diferença de faixa (eV) 6,28
Mobilidade de elétron (V·s/cm2) 1100
Campo elétrico da divisão (MV/cm) 11,7

Bolacha de 6 moldes de Sapphire Based AlN da polegada para dispositivos de 5G BAW 4

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