• 9,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico
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9,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico

9,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico

Detalhes do produto:

Lugar de origem: CHINA
Marca: ZMKJ
Número do modelo: 6H-semi

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 10pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias
Tempo de entrega: 1-6weeks
Termos de pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram
Habilidade da fonte: 1-50pcs/month
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Cristal sic único Dureza: 9,4
Forma: 40X3x0.33mmt personalizado Tolerância: ±0.1mm
Aplicação: Ótico Tipo: 6h-n
Resistividade: >1E5 Ω Espessura: 0.33mm
Superfície: SSP
Realçar:

Bolachas óticas do carbono do silicone

,

9

,

4 bolachas do carbono do silicone da dureza

Descrição de produto

 

bolachas dos lingotes de 2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC/das carcaças do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic),

 

40x3mmt personalizou o tipo sic microplaquetas da forma 6H-semi do carbono do silicone das bolachas para ótico

Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)

 

O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.

1. Descrição
 

 

Aplicação sic dentro da indústria do dispositivo de poder

 

Comparado com os dispositivos do silicone, os dispositivos de poder do carboneto de silicone (sic) podem eficazmente conseguir a eficiência elevada, a miniaturização e o peso leve de sistemas eletrônicos do poder. A perda de energia sic de dispositivos de poder é somente 50% de dispositivos do si, e a geração de calor é somente 50% de dispositivos do silicone, sic igualmente tem uma densidade atual mais alta. A mesmo nível do poder, o volume sic de módulos de poder é significativamente menor do que aquele dos módulos de poder do silicone. Tomando o módulo de poder inteligente IPM como um exemplo, usando sic dispositivos de poder, o volume do módulo pode ser reduzido a 1/3 a 2/3 dos módulos de poder do silicone.

 

Há três tipos sic de diodos do poder: Os diodos de Schottky (SBD), os diodos de PIN e a barreira de junção controlaram os diodos de Schottky (JBS). Devido à barreira de Schottky, o SBD tem uma altura mais baixa da barreira de junção, assim que o SBD tem a vantagem da baixa tensão dianteira. A emergência sic do SBD ampliou a escala da aplicação do SBD de 250V a 1200V. Além, suas características na alta temperatura são boas, a corrente reversa do escapamento não aumentam da temperatura ambiente 175 ao ° C. No campo da aplicação dos retificadores acima de 3kV, sic o PiN e sic diodos de JBS recebeu muita atenção devido a seus mais alta tensão da divisão, velocidade mais rapidamente de comutação, tamanho menor e peso mais claro do que retificadores de silicone.

 

Sic os dispositivos do MOSFET do poder têm a resistência ideal da porta, o desempenho de comutação de alta velocidade, a baixa em-resistência, e a estabilidade alta. É o dispositivo preferido no campo de dispositivos de poder abaixo de 300V. Há os relatórios que um MOSFET do carboneto de silicone com uma tensão de obstrução de 10kV foi desenvolvido com sucesso. Os pesquisadores acreditam que sic os MOSFETs ocuparão uma posição vantajosa no campo de 3kV - 5kV.

 

Os transistor bipolares sic isolados da porta (sic BJT, sic IGBT) e sic o tiristor (sic tiristor), sic P-tipo dispositivos de IGBT com uma tensão de obstrução de 12 quilovolts têm a boa capacidade atual dianteira. Comparado com os transistor bipolares do si, os transistor sic bipolares têm 20-50 vezes que comutam mais baixo perdas e uma mais baixa queda de tensão de ligação. BJT é dividido sic principalmente no emissor epitaxial BJT e o emissor BJT da implantação de íon, o ganho atual típico está entre 10-50.

 

 

Propriedades unidade Silicone Sic GaN
Largura de Bandgap eV 1,12 3,26 3,41
Campo da divisão MV/cm 0,23 2,2 3,3
Mobilidade de elétron cm^2/Vs 1400 950 1500
Valocity da tração 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Condutibilidade térmica W/cmK 1,5 3,8 1,3

 


 

Aplicação sic dentro da indústria do diodo emissor de luz

 

Presentemente, o cristal de safira é a primeira escolha para o material da carcaça usado na indústria optoelectronic do dispositivo, mas a safira tem alguns defeitos que não podem ser superados, como a má combinação da estrutura, a má combinação do esforço térmico, a resistividade alta como um isolador, e a condutibilidade térmica pobre. Consequentemente, as características excelentes sic de carcaças atraíram muita atenção e são mais apropriadas como materiais para o nitreto do gálio (GaN) - diodos luminescentes baseados (diodo emissor de luz) e diodos láser da carcaça (LDs). Os dados do Cree mostram que o uso do carboneto de silicone o dispositivo do diodo emissor de luz da carcaça pode conseguir uma vida da taxa da manutenção da luz de 70% de até 50.000 horas. As vantagens de sic como a carcaça do diodo emissor de luz:

 

* a constante da estrutura da camada epitaxial sic e de GaN é combinada, e as características químicas são compatíveis;

* tem sic a condutibilidade térmica excelente (mais de 10 vezes mais altamente do que a safira) e perto do coeficiente da expansão térmica da camada epitaxial de GaN;

* é sic um semicondutor condutor, que possa ser usado para fazer dispositivos verticais da estrutura. Dois elétrodos são distribuídos na superfície e parte inferior do dispositivo, pode resolver os vários defeitos causados pela estrutura horizontal da carcaça da safira;

* sic não exige uma camada atual da difusão, luz não será absorvido pelo material da camada atual da difusão, que melhora a eficiência clara da extração.

4 polegadas n-lubrificaram a bolacha do carboneto de silicone 4H sic

Especificação da carcaça do carboneto de silicone (sic)

Carborundum sic de cristal da bolacha da carcaça do carboneto de silicone

A especificação de 3" polegada

 

 
Categoria Produção Categoria da pesquisa Categoria do manequim
Diâmetro 50,8 mm±0.38 milímetro ou o outro tamanho
Espessura 330 μm±25μm
Orientação da bolacha Na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI fora da linha central: 4.0° toward1120 ±0.5° para 4H-N/4H-SI
Densidade de Micropipe cm2 ≤5 cm2 ≤15 cm2 ≤50
Resistividade 4H-N 0.015~0.028 Ω·cm
  6H-N 0.02~0.1 Ω·cm
  4/6H-SI >1E5 Ω·cm (90%) >1E5 Ω·cm
Plano preliminar {10-10} ±5.0°
Comprimento liso preliminar 22,2 mm±3.2 milímetro
Comprimento liso secundário 11.2mm±1.5 milímetro
Orientação lisa secundária Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal
Exclusão da borda 2 milímetros
TTV/Bow /Warp ≤15μm/≤25μm/≤25μm
Aspereza Ra≤1 polonês nanômetro
CMP Ra≤0.5 nanômetro
Quebras pela luz da alta intensidade Nenhum 1 permitido, ≤ 1mm 1 reservado, ≤2 milímetro
Encantar placas pela luz da alta intensidade Area≤ cumulativo 1% Area≤ cumulativo 1% Area≤ cumulativo 3%
Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade Nenhum Area≤ cumulativo 2% Area≤ cumulativo 5%
Riscos pela luz da alta intensidade 3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer 8 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer
Microplaqueta da borda Nenhum 3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um 5 reservados, ≤1 milímetro cada um
Contaminação pela luz da alta intensidade Nenhum
Mostra da exposição dos produtos
9,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico 19,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico 29,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico 39,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico 49,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico 59,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico 6
 

Sobre ZMKJ Empresa

 

ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

FAQ:

Q: Que é a maneira de transporte e de custo?

: (1) nós aceitamos DHL, Fedex, EMS etc.

(2) é muito bem se você tem sua própria conta expressa, se não, nós poderíamos o ajudar aos enviar e

O frete é de acordo com o pagamento real.

 

Q: Como pagar?

: Depósito de T/T 100% antes da entrega.

 

Q: Que é seu MOQ?

: (1) para o inventário, o MOQ é 1pcs. se 2-5pcs ele é melhor.

(2) para produtos comuns personalizados, o MOQ é 10pcs acima.

 

Q: Que é o prazo de entrega?

: (1) para os produtos padrão

Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis depois que você coloca a ordem.

Para produtos personalizados: a entrega é 2 -4 semanas após você contato da ordem.

 

Q: Você tem produtos padrão?

: Nossos produtos padrão no estoque. como as carcaças como 4inch 0.35mm.

 

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em 9,4 dureza sic Chips Silicon Carbon Wafers ótico você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
Obrigado!
Esperando sua resposta.