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De silicone do carboneto da bolacha da pureza alta de silicone do carboneto lente transparente incolor das bolachas sic
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMKJ |
| Número do modelo: | 4 polegadas - pureza alta |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 1pcs |
|---|---|
| Detalhes da embalagem: | único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias |
| Tempo de entrega: | 1-6weeks |
| Termos de pagamento: | T / União, T Ocidental, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | 1-50pcs/month |
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Informação detalhada |
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| Material: | Tipo do cristal sic único 4H-N | Categoria: | Manequim/categoria /Production da pesquisa |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 350um ou 500um | Suraface: | CMP/MP |
| Aplicação: | teste de lustro do fabricante do dispositivo | Diâmetro: | 100±0.3mm |
| Realçar: | carcaça do carboneto de silicone,sic bolacha |
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Descrição de produto
Resistivity1E10 da pureza alta 2/3/4/6inch de silicone do carboneto lente transparente incolor das bolachas sic
da pureza alta 2/3/4/6inch de silicone do carboneto bolachas transparentes incolores das carcaças do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm da pureza alta 4H-N 4inch 6inch da lente das bolachas sic (sic), dos lingotes carcaças sic de cristal do semicondutor sic, de silicone de carboneto do Wafer/de cristal de Customzied do como-corte bolachas sic
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
PROPRIEDADES do único cristal 4H-SiC
- Parâmetros da estrutura: a=3.073Å c=10.053Å
- Empilhando a sequência: ABCB
- Dureza de Mohs: ≈9.2
- Densidade: 3,21 g/cm3
- Therm. Coeficiente da expansão: 4-5×10-6/K
- Índice da refração: ne= 2,66 do no= 2,61
- Constante dielétrica: 9,6
- Condutibilidade térmica: a~4.2 W/cm·K@298K
- (N-tipo, 0,02 ohm.cm) c~3.7 W/cm·K@298K
- Condutibilidade térmica: a~4.9 W/cm·K@298K
- (Semi-isolamento) c~3.9 W/cm·K@298K
- Faixa-Gap: 3,23 eV Faixa-Gap: eV 3,02
- Campo bonde da divisão: 3-5×10 6V/m
- Velocidade de tração da saturação: 2.0×105m/
Especificação da carcaça do carboneto de silicone do diâmetro da pureza alta 4inch (sic)
4 especificações da carcaça do carboneto de silicone da pureza alta 4H da polegada de diâmetro
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PROPRIEDADE DA CARCAÇA |
Categoria da produção |
Categoria da pesquisa |
Categoria do manequim |
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Diâmetro |
100,0 milímetro +0.0/-0.5milímetros |
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Orientação de superfície |
{0001} ±0.2° |
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Orientação lisa preliminar |
<11->20> ̊ do ± 5,0 |
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Orientação lisa secundária |
90,0 ̊ CW do ̊ preliminar do ± 5,0, silicone de face para cima |
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Comprimento liso preliminar |
32,5 milímetros ±2.0 milímetro |
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Comprimento liso secundário |
18,0 milímetros ±2.0 milímetro |
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Borda da bolacha |
Chanfradura |
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Densidade de Micropipe |
cm2 de ≤5 micropipes/ |
cm2do ≤10micropipes/ |
cm2 de ≤50 micropipes/ |
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Áreas de Polytype pela luz da alta intensidade |
Nenhuns permitiram |
áreado ≤10% |
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Resistividade |
≥1E5 Ω·cm |
(área 75%) ≥1E5 Ω·cm |
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Espessura |
350,0 μm do μm do ± 25,0 do μm ou 500,0 do ± 25,0 do μm |
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TTV |
≦10μm |
μmdo ≦15 |
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Curva (valor absoluto) |
μmdo ≦25 |
μmdo ≦30 |
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Urdidura |
μmdo ≦45 |
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Revestimento de superfície |
Polonês dobro do lado, CMP da cara do si (lustro do produto químico) |
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Aspereza de superfície |
Cara Ra≤0.5 nanômetro do si do CMP |
N/A |
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Quebras pela luz da alta intensidade |
Nenhuns permitiram |
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Microplaquetas/recortes da borda pela iluminação difusa |
Nenhuns permitiram |
Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros |
Qty.2<> largura e uma profundidade de 1,0 milímetros |
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Área útil total |
≥90% |
≥80% |
N/A |
o *The outras especificações pode ser personalizado de acordo com as exigências de cliente
6 polegadas - de altura - pureza queisola especificações das carcaças 4H-SiC
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Propriedade |
Categoria de U (ultra) |
Categoria de P (produção) |
Categoria de R (pesquisa) |
Categoria de D (manequim) |
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Diâmetro |
150,0 mm±0.25 milímetro |
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Orientação de superfície |
± 0.2° {de 0001} |
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Orientação lisa preliminar |
<11-20> ̊ do ± 5,0 |
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Orientação lisa secundária |
N/A |
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Comprimento liso preliminar |
47,5 milímetros ±1.5 milímetro |
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Comprimento liso secundário |
Nenhum |
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Borda da bolacha |
Chanfradura |
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Densidade de Micropipe |
≤1 /cm2 |
≤5 /cm2 |
≤10 /cm2 |
≤50 /cm2 |
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Área de Polytype pela luz da alta intensidade |
Nenhum |
≤ 10% |
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Resistividade |
≥1E7 Ω·cm |
(área 75%) ≥1E7 Ω·cm |
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Espessura |
350,0 μm do μm do ± 25,0 do μm ou 500,0 do ± 25,0 do μm |
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TTV |
μmdo ≦10 |
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Curva (valor absoluto) |
μmdo ≦40 |
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Urdidura |
μmdo ≦60 |
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Revestimento de superfície |
C-cara: Lustrado ótico, Si-cara: CMP |
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Aspereza (10μm do ×10doμm) |
Ra da Si-cara do CMP<> 0,5 nanômetros |
N/A |
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Quebra pela luz da alta intensidade |
Nenhum |
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Microplaquetas/recortes da borda pela iluminação difusa |
Nenhum |
Qty≤2, o comprimento e largura de cada<> 1mm |
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Área eficaz |
≥90% |
≥80% |
N/A |
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* os limites dos defeitos aplicam-se à superfície inteira da bolacha à exceção da área de exclusão da borda. # os riscos devem ser verificados na cara do si somente.
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Tipo 4H-N/bolacha/lingotes pureza alta sic
2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H 4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H |
4H queisola/bolacha pureza alta sic 2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha |
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6H N-tipo sic bolacha
2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H |
Tamanho de Customzied para 2-6inch
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Vendas & serviço ao cliente
Comprar dos materiais
O departamento comprando dos materiais é responsável recolher todas as matérias primas necessárias produzir seu produto. A rastreabilidade completa de todos os produtos e materiais, incluindo a análise química e física está sempre disponível.
Qualidade
Durante e depois da fabricação ou de fazer à máquina de seus produtos, o departamento do controle da qualidade é envolvido em certificar-se que todos os materiais e tolerâncias encontram ou excedem sua especificação.
Serviço
Nós orgulhamo-nos em ter o pessoal da engenharia de vendas com sobre 5 anos de experiências na indústria do semicondutor. São treinados para responder a perguntas técnicas assim como para fornecer cotações oportunas para suas necessidades.
nós estamos em seu lado por em qualquer altura que quando você tem o problema, e resolvemo-lo em 10hours.