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bolacha 6H-N/4 H-N Dummy sic Crystal Wafers For Device Test do carboneto de silicone de 2Inch 4inch
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | ZMKJ |
| Número do modelo: | 2inch*0.625mmt |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 10pcs |
|---|---|
| Preço: | by case |
| Detalhes da embalagem: | único pacote da bolacha no quarto desinfetado de 100 categorias |
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T / União, T Ocidental, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | 1-50pcs/month |
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Informação detalhada |
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| Material: | Tipo 4H-N de cristal sic único | Categoria: | Manequim/categoria produção da pesquisa |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 0.625MM | Suraface: | como-corte |
| Aplicação: | teste polonês do dispositivo | Diâmetro: | 50.8mm |
| Realçar: | carcaça do carboneto de silicone,sic bolacha |
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Descrição de produto
De Customzied size/10x10x0.5mmt/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC dos lingotes/das carcaças wafersS/Customzied do único cristal de carboneto de silicone do diâmetro 150mm pureza alta 4H-N 4inch 6inch (sic) do como-corte bolachas sic
Sobre o cristal do carboneto de silicone (sic)
O carboneto de silicone (sic), igualmente conhecido como o carborundum, é um semicondutor que contém o silicone e o carbono com fórmula química sic. É usado sic nos dispositivos da eletrônica do semicondutor que se operam em altas temperaturas ou em altas tensões, ou both.SiC é igualmente um dos componentes importantes do diodo emissor de luz, é uma carcaça popular para crescer dispositivos de GaN, e igualmente serve como um propagador do calor no diodo emissor de luz de alta potência.
PROPRIEDADES MATERIAIS DE CARBONETO DE SILICONE
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Propriedade |
4H-SiC, único cristal |
6H-SiC, único cristal |
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Parâmetros da estrutura |
a=3.076 Å c=10.053 Å |
a=3.073 Å c=15.117 Å |
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Empilhando a sequência |
ABCB |
ABCACB |
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Dureza de Mohs |
≈9,2 |
≈9,2 |
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Densidade |
3,21 g/cm3 |
3,21 g/cm3 |
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Therm. Coeficiente da expansão |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
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Índice @750nm da refração |
nenhuns = 2,61 ne = 2,66 |
nenhuns = 2,60 ne = 2,65 |
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Constante dielétrica |
c~9.66 |
c~9.66 |
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Condutibilidade térmica (N-tipo, 0,02 ohm.cm) |
a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K |
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Condutibilidade térmica (Semi-isolar) |
a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K |
a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K |
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Faixa-Gap |
eV 3,23 |
eV 3,02 |
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Campo elétrico da divisão |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
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Velocidade de tração da saturação |
2,0×105 m/s |
2,0×105 m/s |
especificação da carcaça do carboneto de silicone de 2 polegadas de diâmetro (sic)
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Categoria |
Categoria da produção |
Categoria da pesquisa |
Categoria do manequim |
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Diâmetro |
50,8 mm±0.38 milímetro |
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Espessura |
330 μm±25μm ou customzied |
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Orientação da bolacha |
Na linha central: <0001> ±0.5° para 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI fora da linha central: 4.0° para o 1120 do ±0.5° para 4H-N/4H-SI |
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Densidade de Micropipe |
cm2 ≤5 |
cm2 ≤15 |
cm2 ≤50 |
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Resistividade |
4H-N |
0.015~0.028 Ω·cm |
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6H-N |
0.02~0.1 Ω·cm |
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4/6H-SI |
>1E5 Ω·cm |
(90%) >1E5 Ω·cm |
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Plano preliminar |
{10-10} ±5.0° |
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Comprimento liso preliminar |
15,9 mm±1.7 milímetro |
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Comprimento liso secundário |
8,0 mm±1.7 milímetro |
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Orientação lisa secundária |
Silicone de face para cima: 90° CW. de ±5.0° liso principal |
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Exclusão da borda |
1 milímetro |
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TTV/Bow /Warp |
≤15μm/≤25μm/≤25μm |
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Aspereza |
Ra≤1 polonês nanômetro |
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CMP Ra≤0.5 nanômetro |
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Nenhum |
Nenhum |
1 reservado, ≤1 milímetro |
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Encantar placas pela luz da alta intensidade |
Area≤ cumulativo 1% |
Area≤ cumulativo 1% |
Area≤ cumulativo 3% |
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Nenhum |
Area≤ cumulativo 2% |
Area≤5% cumulativo |
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3 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer |
5 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer |
8 riscos ao comprimento cumulativo do diâmetro 1×wafer |
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Microplaqueta da borda |
Nenhum |
3 reservados, ≤0.5 milímetro cada um |
5 reservados, ≤1 milímetro cada um |
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4 H-N Type/bolacha/lingotes pureza alta sic
2 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H
3 N-tipo sic bolacha da polegada 4H 4 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H 6 N-tipo sic bolacha/lingotes da polegada 4H |
2 polegadas 4H queisolam sic a bolacha
3 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 4 polegadas 4H queisolam sic a bolacha 6 polegadas 4H queisolam sic a bolacha |
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6H N-tipo sic bolacha
2 N-tipo sic bolacha/lingote da polegada 6H |
Tamanho de Customzied para 2-6inch
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Sobre ZMKJ Empresa
ZMKJ pode fornece a bolacha de alta qualidade do único cristal sic (carboneto de silicone) à indústria eletrônica e optoelectronic. Sic a bolacha é um material do semicondutor da próxima geração, com propriedades elétricas originais e as propriedades térmicas excelentes, comparadas à bolacha de silicone e à bolacha do GaAs, sic bolacha são mais apropriadas para a aplicação do dispositivo da alta temperatura e de poder superior. Sic a bolacha pode ser fornecida na polegada do diâmetro 2-6, 4H e 6H sic, N-tipo, nitrogênio lubrificado, e tipo deisolamento disponível. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.
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