• Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz
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Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz

Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz

Detalhes do produto:

Lugar de origem: China
Marca: zmkj
Número do modelo: 4inch SEMI

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima: 5pcs
Preço: by case
Detalhes da embalagem: a única bolacha embalou em 6" caixa plástica sob o N2
Tempo de entrega: 2-4 semanas
Termos de pagamento: T / União, T Ocidental, MoneyGram
Habilidade da fonte: 500pcs por mês
Melhor preço Contato

Informação detalhada

Material: Único cristal do GaAs Tamanho: 4inch
Espessura: 625um ou customzied Do tipo: Do plano
Orientação: (100) 2°off Superfície: DSP
método do crescimento: vFG
Realçar:

carcaça da bolacha

,

bolacha de semicondutor

Descrição de produto

tipo bolacha de 2inch/3inch /4inch /6inch S-C-N do GaAs do arsenieto de gálio de /Si-doped da semi-isolação

Descrição do produto

Nosso 2' ‘a 6" ‘cristal decondução & deisolamento & bolacha do GaAs são usados descontroladamente na aplicação da aplicação do circuito integrado do semicondutor & da iluminação geral do diodo emissor de luz.

Característica e aplicação da bolacha do GaAs
CaracterísticaCampo da aplicação
Mobilidade de elétron altaDiodos luminescentes
Alta frequênciaDiodos láser
Eficiência de conversão altaDispositivos fotovoltaicos
Consumo da baixa potênciaTransistor de mobilidade de elétron alto
Diferença de faixa diretaTransistor bipolar da heterojunção

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DESCRIÇÃO DO PRODUTO
 

Especificações de semi-conduzir a bolacha do GaAs

     

 Método do crescimento

VGF

Entorpecente

p-tipo: Zn

n-tipo: Si

Forma da bolacha

Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", 6")

Orientação de superfície *

(100) ±0.5°

* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação

Entorpecente

Si (n-tipo)

Zn (p-tipo)

Concentração de portador (cm-3)

(0.8-4) × 1018

(0.5-5) × 1019

Mobilidade (cm2/V.S.)

× 103 (de 1-2.5)

50-120

Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)

100-5000

3,000-5,000

Diâmetro da bolacha (milímetros)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

Espessura (µm)

350±25

625±25

625±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

URDIDURA (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

DE (milímetros)

17±1

22±1

32.5±1

DE/SE (milímetros)

7±1

12±1

18±1

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

Especificações de semi-isolar a bolacha do GaAs

Método do crescimento

VGF

Entorpecente

Tipo do SI: Carbono

Forma da bolacha

Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", 6")

Orientação de superfície *

(100) ±0.5°

* outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação

Resistividade (Ω.cm)

× 107 do ≥ 1

× 108 do ≥ 1

Mobilidade (cm2/V.S)

≥ 5.000

≥ 4.000

Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2)

1,500-5,000

1,500-5,000

Diâmetro da bolacha (milímetros)

50.8±0.3

76.2±0.3

100±0.3

150±0.3

Espessura (µm)

350±25

625±25

625±25

675±25

TTV [P/P] (µm)

≤ 4

≤ 4

≤ 4

≤ 4

TTV [P/E] (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 10

URDIDURA (µm)

≤ 10

≤ 10

≤ 10

≤ 15

DE (milímetros)

17±1

22±1

32.5±1

ENTALHE

DE/SE (milímetros)

7±1

12±1

18±1

N/A

Polish*

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

E/E,
P/E,
P/P

 
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FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg
Q: Como pagar?
T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, pagamento seguro e segurança de comércio em Alibaba e etc….
Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas
Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.
 
Empacotamento – Logistcs
nós referimo-nos a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a forma do produto,
nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!
 

Deseja saber mais detalhes sobre este produto
Estou interessado em Bolacha Undoped do arsenieto de gálio de 2INCH 3INCH 4Inch que isola semi a carcaça do GaAs para o diodo emissor de luz você poderia me enviar mais detalhes como tipo, tamanho, quantidade, material, etc.
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