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2" de N bolacha LD/LED do GaAs DSP/SSP do arsenieto de gálio do entorpecente do si da carcaça do semicondutor semi
Detalhes do produto:
| Lugar de origem: | China |
| Marca: | zmkj |
| Número do modelo: | GaAs-N-4inch |
Condições de Pagamento e Envio:
| Quantidade de ordem mínima: | 5pcs |
|---|---|
| Preço: | 100-200usd/pcs |
| Detalhes da embalagem: | no caso da bolacha único ou da gaveta 25pcs pelo pacote do vácuo |
| Tempo de entrega: | 2-4 semanas |
| Termos de pagamento: | T / T, Western Union |
| Habilidade da fonte: | 2000pcs por mês |
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Informação detalhada |
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| Material: | Cristal do GaAs | Método: | VGF |
|---|---|---|---|
| Tamanho: | 4inch dia100mm | Thickess: | 380um |
| Superfície: | DSP | Aplicação: | conduzido, dispositivo do ld |
| Realçar: | carcaça do gasb,bolacha de semicondutor |
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Descrição de produto
N-tipo 2inch/3inch do metod de VFG, 4inch, N-tipo das bolachas do arsenieto de gálio de 6inch dia150mm GaAs
tipo deisolamento para a microeletrônica,
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Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs)
O arsenieto de gálio (GaAs) é um composto dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto do bandgap de III-V
com uma estrutura de cristal de blenda de zinco.
O arsenieto de gálio é usado na fabricação de dispositivos tais como circuitos integrados da frequência de micro-ondas, monolítica
circuitos integrados da micro-ondas, diodos luminescentes infravermelhos, diodos láser, células solares e janelas óticas. [2]
O GaAs é usado frequentemente como um material da carcaça para o crescimento epitaxial de outros semicondutores de III-V que incluem o arsenieto de gálio do índio,
arsenieto e outro de gálio de alumínio.
.
Característica e aplicação da bolacha do GaAs
| Característica | Campo da aplicação |
|---|---|
| Mobilidade de elétron alta | Diodos luminescentes |
| Alta frequência | Diodos láser |
| Eficiência de conversão alta | Dispositivos fotovoltaicos |
| Consumo da baixa potência | Transistor de mobilidade de elétron alto |
| Diferença de faixa direta | Transistor bipolar da heterojunção |
Especificação
GaAs Undoped
Especificações deisolamento do GaAs
| Método do crescimento | VGF |
| Entorpecente | Carbono |
| Bolacha Shape* | Círculo (diâmetro: 2", 3", 4", e 6") |
| Orientação de superfície ** | (100) ±0.5° |
” Bolachas *5 disponíveis mediante solicitação
** Outras orientações talvez disponíveis mediante solicitação
| Resistividade (Ω.cm) | ≥1 × 107 | ≥1 × 108 |
| Mobilidade (cm2/V.S) | ≥ 5.000 | ≥ 4.000 |
| Densidade do passo gravura em àgua forte (cm2) | 1,500-5,000 | 1,500-5,000 |
| Diâmetro da bolacha (milímetros) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 | 150±0.3 |
| Espessura (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| URDIDURA (µm) | ≤10 | ≤10 | ≤10 | ≤5 |
| DE (milímetros) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 | ENTALHE |
| DE/SE (milímetros) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | N/A |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
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